微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 微波射频 > 射频工程师文库 > 高功率近场卡塞格伦天线的设计

高功率近场卡塞格伦天线的设计

时间:07-31 来源:来源:现代电子技术 作者:龚云峰,谢拥军 点击:

透镜,若喇叭的半张角为θ0,喇叭口径为D,则由几何关系可以求得喇叭透镜焦点到透镜第二个面(平面)的距离为:

  通过式(3)和式(4)进一步可求得透镜双曲面的顶点到焦点的距离(即焦距f)和透镜厚度d。

  对于透镜的设计原则:首先找出喇叭的相位中心,确定F的值;进而根据D值,确定θ0的值;最后根据需要选择透镜的材料,并确定f值。

  1.3 功率容量的分析

  通过计算可以求得对应输入功率为1 W时介质透镜外表面的最大电场Emax。由于功率与电场的幅值平方成正比,当馈源输入的最大功率为Pimax时,可以得到介质透镜外表面的电场为:

  一般认为空气中连续波电场击穿阈值为30 kV/cm,因此在馈源输出功率满足式(5)的情况下,口径上不会发生空气击穿现象。事实上,目前的高功率微波多为几十纳秒的短脉冲微波,在短脉冲情况下大气的击穿阈值要大于30 kV/cm,因此从介质透镜表面的空气击穿角度考虑,该馈源的功率容量大于Pimax。

  1.4 近场卡式天线的主、副面

  图4为近场卡塞格伦天线结构示意图。

  从P点出发的人射线经副面抛物面和主面抛物面依次反射后,到达平面波前上各点的波程都相等。因而在馈源所辐射的平面波前,经过两次反射后仍然呈现为平面波前,呈现同向场,使近场卡式天线同样具有锐波束、高增益的性能。图4中:Dm为主面口径,水平方向投影圆的直径;Vs为副面口径,水平方向投影圆的直径; F为主面焦距;f为副面焦距;θ为主、副面半张角。

  设计步骤如下:

  (1)确定主面、副面口径Dm和Vs,双反射面天线一般取Vs/Dm为0.08~0.15。

  (2)确定焦径比k,通常取k为0.3~0.45。

  (3)主面焦距为:

  (4)主、副面半张角为:

  2 设计及实验结果

  根据指标要求,利用电磁仿真软件优化设计并加工了一个X频段的近场卡塞格伦天线,对其电性能进行实际测量,比较了馈源的仿真结果和测量结果。其中,该天线系统的各个部分尺寸如下:

  指数型多模喇叭尺寸:d1=0.05 m,d2=0.266 m,L1=0.013 m,L2=0.507 m;指数方程参量:a=1,c=0,k=0.333,g=3。

  双曲型介质透镜尺寸:F=0.5 m,f=0.465 m,n=1.5,θ0=14.9°,介质透镜的材料选用聚乙烯。

  近场卡式天线主、副面尺寸:Dm=2.2 m,Vs=0.332 m,F=0.836 m,f=0.126 m,θ=66.58°。

  如图5所示是近场卡塞格伦天线实物。该天线在微波暗室进行测量。由图6可以看出,介质透镜外表面的最大电场小于110 V/m,当输入功率为600 mW时,满足式(5),因此该馈源的功率容量大于600 mW。

  图7和图8分别示出加载介质透镜的指数型多模喇叭E面和H面的仿真结果和测量结果。通过对比可以看出,实测结果与仿真结果吻合良好,说明馈源设计符合要求。

  图9和图10分别给出设计的近场卡塞格伦天线水平面(E面)方向图和俯仰面(H面)方向图的测量结果。测量结果表明,设计的天线电性能完全满足指标要求。这也说明指数型喇叭是一种高效率馈源,而且具有高功率容量和轴对称的方向图,适合用来作为高功率近场卡塞格伦天线的馈源。

  3 结 语

  系统地给出了高功率近场卡塞格伦天线的设计方案。针对高功率微波天线对馈源高功率容量和良好辐射特性的要求,选择用内壁光滑的指数型多模喇叭。对多模喇叭口面加载介质透镜,以满足对天线副面进行平面波照射。通过优化设计,最终获得了功率容量大于600 mW的X频段高功率近场卡塞格伦天线,且实测结果与仿真结果吻合良好。由此证明该设计方案的可行性。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top