CE系列高压MOSFET:专为消费类电子和照明而生
存储的能量更低,损耗更低。图5为CE系列CoolMOS(IPS65R1K5CE)与标准MOSFET输出电容存储能量Eoss对比情况。从图可知在漏源电压较高(>120V)情况下(对于高压MOSFET,其漏源电压不会低于120V,否则选择高压MOSFET就没有任何意义)CE系列CoolMOS输出电容存储的能量低于标准MOSFET。由于输出电容存储的能量在MOSFET开通后以热的形式损耗到MOSFET中,因此输出电容存储的能量越低,则MOSFET的损耗越低,效率越高。
图2 不同耐压下RDS(on)与芯片面积积对比
图3 寄生电容对比
图4 典型门极电荷对比
图5 输出电容存储能量对比
从以上参数对比我们可以看出,CE系列CoolMOS相比标准MOSFET在效率,可靠性等方面具有明显的优势。接下来我们通过在充电器和LED驱动器上的应用实例来验证CE系列CoolMOS的优越性能。
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充电器案例
该案例为一款全球输入范围的15W充电器,主要规格如下:
表1 15W充电器主要规格
图6所示为该充电器详细的原理图。该充电器采用反激同步整流方案,原边控制芯片为英飞凌公司的准谐振PMW电流模式控制芯片ICE2QS03G[1],原边主功率开关管为CE系列CoolMOS 650V 耐压MOSFET IPS65R1K5CE[2]。副边同步整流控制驱动芯片为TI公司的UCC24610,同步整流MOSFET为英飞凌的OptiMOSTM (英飞凌中低压(20V~250V)功率MOSFET品牌)系列中的BSC067N06LS3 G[3]。该充电器具有完整的启动及保护功能,包括软启动,轻载下工作于burst模式,辅助电源过欠压保护,输出过载/开环保护,过温保护及自动恢复,可调整输出过压保护,副边绕组短路保护等。
图6 15W充电器原理图
该充电器产品实物如图7所示。
图7 15W充电器实物图
对该充电器进行详细的测试,结果如下:
1. 效率测试。根据图8所示的结果, 115Vac输入下的平均效率为89.05%,230Vac输入下的平均效率为88.24%,满足表1所示的规格要求。根据图9所示的结果,115Vac输入下10%负载效率为87.05%, 230Vac输入下10%负载效率为85.08%,满足规格要求。
图8平均效率及满载效率随输入变压变化曲线
图9 不同输入电压下效率随负载变化曲线
2. 空载损耗。图10为待机功耗(空载损耗)随输入电压变换情况,在所有输入电压范围内空载损耗都小于40mW,满足规格要求。
图10 空载损耗随输入电压变化曲线
3. 传导噪声测试。图11和图12分别为输入电压为115Vac和230Vac且满载输出下输入火线和零线的传导噪声测试结果,传导噪声通过EN55022(CISPR22) Class B标准且准峰值噪声有超过8dB的裕量。
图11 115Vac输入满载输出时火线和零线传导噪声
图12 230Vac输入满载输出时火线和零线传导噪声
4. 温度测试结果,图13为85Vac输入和265Vac输入,满载输出情况下功率MOSFET IPS65R1K5CE温升测试结果。在最低和最高输入电压下功率MOSFET的壳温都小于90°C。
图13 不同输入电压下温度测试结果
从以上结果可知,采用英飞凌的CE系列CoolMOS及综合解决方案设计的充电器,可以获得极佳的性能,同时由于CE系列CoolMOS成本极具竞争力,该方案也具有很高的性价比。
照明案例
接下来介绍CE系列CoolMOS产品应用于LED球泡灯驱动器的案例。
该LED球泡灯驱动器的主要规格如下。
表2 LED球泡灯驱动器主要规格
该LED球泡灯驱动器采用反激拓扑,主控芯片为英飞凌公司的准谐振PWM控制芯片ICL8002G[4],该芯片适合反激,Buck等不同拓扑,工作于准谐振方式,原边控制模式,集成PFC及切相调光控制以及集成多个保护功能,非常适合于可调光LED灯等应用。主控开关采用CE系列800V耐压的功率MOSFET IPD80R2K8CE[5]。由于采用了先进的控制方案,高效的转换拓扑和功率器件,该驱动器具有平滑调光曲线及很高的调光能力,超过85%的高效率,非常高的功率因数及很低的THD(谐波因数),采用紧凑的单级拓扑实现PFC及功率转换,原边高精度控制以及多个保护功能,极低的BOM成本。该驱动器原理图如下图所示。
图14 11W LED 球泡灯驱动器原理图
LED球泡灯驱动器的实物图形如图15所示。
图15 11W LED球泡灯驱动器实物图
实测结果如下:
1. 恒功率输出测试。对于LED球泡灯应用,由于LED灯的数量是固定的,因此输出电压的变化范围很小,则恒功率输出意味着输出电流也是恒定的。图16给出了该LED球泡灯驱动器输出功率及输出电流随输
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