抽丝剥茧系列——一个T拓扑
抽丝剥茧系列——一次解谜经历
抽丝剥茧系列文章之关于时序
抽丝剥茧系列文章之过孔选择
前两天,跟某友商交流,是一位测试领域的大牛,他们也经营着一个自媒体。每到大家激起一些火花,大牛就会说"看,又是一篇好文章了吧"。看来大牛他们写文章的压力也很大啊,想到这里,小陈不禁潸然泪下,手一抖,把抽丝剥茧打成了愁死脖间•••
槽要吐,文章还是要写的。大家知道,做一些layout guide是信号完整性工程师的基本工作之一,layout guide可以说是一些SI规则的物理体现。某同学发现了一份这样的layout guide:
拓扑是这样子的
要求是这样子的
可以看到,主干段M只有阻抗要求,没有长度要求。而分支B1/B1’/B2/’B2’只有长度要求没有阻抗要求,这是为啥?
首先,我们知道大部分器件的驱动阻抗是较低的,这样减小驱动器本身的分压,虽然这样会造成较大的源端反射。而速率越来越高时,需要在功耗和信号完整性做一个平衡,驱动阻抗渐渐的高了起来,而上拓扑为DDR2,驱动阻抗通常在33欧姆左右,将M段的阻抗控制在33欧姆,则意味着源端反射非常小,这样所有进入M段往驱动端走的反射信号全部有去无回。M段的长度,也就不会对接收端信号造成什么影响了,如下图:
3
而在M与B/T交界的节点处,反射是不可避免的。最重要的是第一次从M过来在这个点的反射,以及第一次从接收端反射回来的能量,之后的反射波由于分压以及反射系数等原因能量是非常小的,可以忽略不计。
先来看第一次从M过来在这个点的反射。我们知道几个电阻的并联阻抗必定小于其中任意电阻的阻抗,传输线同理。假如B段阻抗为60欧姆,从M往接收端看的阻抗为58//60//60≈20欧姆,反射系数24%;假如B段阻抗为40,从M往接收端看的阻抗为58//40//40≈15欧姆,反射系数37%。差别看起来不是特别大,所以B并没有明确的阻抗要求,但其实layout guide里还有一句话,就是B段走线走越细越好。
再来看看第一次从接收端反射回来的能量,这可就剪不断理还乱了。不过大家知道,影响反射的除了阻抗还有走线长度,走线较短的话,反射将会淹没在上升时间之中。我们来看一下线长符合要求时阻抗变化的情况:
看来只要分支长度保证了,其实阻抗影响并不大。关于各种拓扑,可以变的魔术还是非常多的,layout guide可不是只有"x/x/x/x信号阻抗控制50Ω"的哦。
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