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基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究

时间:07-30 来源:3721RD 点击:

脚单独发送所需的数字数据这一功能。

3.3 采用J750测试系统DSIO模块测试方案设计

1)硬件设计

按照J750测试系统的测试通道配置规则,绘制VDSR32M32的测试转接板,要对器件速率、工作电流、抗干扰等相关因素进行综合考量。

2)软件设计

考虑到使用该模块为器件提供需要施加激励信号的特殊性,我们采用了 J750测试系统基于Visual Basic 和Microsoft Excel工具,在IG-XL测试软件下对程序进行编写,具体实施步骤如下:

A. 按照J750的标准编程方法,先完成对VDSR32M32的Pin Map、Channel Map、等芯片管脚进行定义;

引脚定义

B. 对DC测试项进行定义包括DC Spec、Pin Levels等,此项不需进行Pattern编辑;

C. 编辑pattern所使用的function测试项VOL,VOH,时序参数包括AC Spec、Time Sets、Test Instance等编辑。

测试界面编辑

3.4VDSR16M32的功能测试

针对SRAM等存储单元阵列的各类故障模型,如阵列中一个或多个单元的一位或多位固定为0或固定为1故障(Stuck at 0 or 1 fault)、阵列中一个或多个单元固定开路故障(Stuck open fault)、状态转换故障(Transition fault)、数据保持故障(Data maintaining fault)、状态耦合故障(Coupling fault)等,有相应的多种算法用于对各种故障类型加以测试,本文采用棋盘格CHECKBOARD、全0、全1的测试吧算法。

不论何种算法,对于大容量的存储器来说,测试矢量的长度也会随其容量的增加而递增,相应地,测试时间随之增长。对此,J750EX测试系统的DSIO模块可以提供一个很好的解决方案。

3.5VDSR32M32的电性能测试

针对SRAM类存储器件,其电性测试内容主要有管脚连通性测试(continuity)、管脚漏电流测试(leakage),管脚工作电流测试(ICC)、休眠电流(ISB)、输出高/低电平测试(voh/vol),时序参数测试(TAA、TACS、TOE等)。

1)PMU简介

PMU即为Parametric Measurement Unit,可以将其想象为一个电压表,它可以连接到任一个器件管脚上,并通过force电流去测量电压或force电压去测量电流来完成参数测量工作。当PMU设置为force 电流模式时,在电流上升或下降时,一旦达到系统规定的值,PMU Buffer就开始工作,即可输出通过force电流测得的电压值。同理,当PMU设置为force 电压模式时, PMU Buffer会驱动一个电平,这时便可测得相应的电流值。SRAM 器件的管脚连通性测试(continuity)、漏电流测试(leakage)、voh/vol测试均采用这样的方法进行。

2)VDSR32M32的工作电流测试((ICC)、休眠电流(ISB)、时序参数测试(TAA、TACS、TOE)

VDSR32M32的休眠电流测试不需要编写pattern测试,而工作电流测试需要测试pattern,,需要注意的是测试静态电流时器件的片选控制信号需置成vcc状态,测试动态电流时负载电流(ioh/iol)需设为0 ma。

对时序参数进行测试时, pattern测试是必不可少的,并需要在Time Sets ,Characterization进行相应的时序参数设置。

下图为测试项目界面:

参考文献:

[1] Neamen,D.A.电子电路分析与设计--模拟电子技术[M]。清华大学出版社。2009:118-167.

[2] 珠海欧比特控制工程股份有限公司. VDMR4M08使用说明书[Z]. 2013.

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