晶体管的检测经验

在晶体管的集电结(B、C极之间)上并接1只电阻(硅管为100kΩ锗管为20 kΩ)，然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。

　　测量NPN管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极C，红表笔接晶体管的发射极E，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。

　　也可以用晶体管直流参数测试表的hFE/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hFE/ICEO档置于hFE–100档或hFE–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hFE键，再从表中读出hFE值即可。

　　3.反向击穿电压的检测

　　晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的V(BR)测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的V(BR)键，再从表中读出反向击穿电压值。

　　对于反向击穿电压低于50V的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管VT的集电极C、发射极E与测试电路的A端、B端相连(PNP 管的E极接A点，C极接B点;NPN管的E有接B点，C极接A点)后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。

　　(三)特殊晶体管的检测

　　1.带阻尼行输出管的检测

　　用万用表R×1档，测量发射结(基极B与发射极E之间)的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20"50Ω。

　　用万用表R×1k档，测量行输出管集电结(基极B与集电极C之间)的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值(黑表笔接基极B，红表笔接集电极C)为 3"10kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。

　　用万用表R×1k档，测量行输出管C、E极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小(6"7 kΩ)，反向电阻值为无穷大，若测得C、E极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管C、E极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。若测得C、E极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。

　　带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。

　　带阻尼行输出管的放大能力(交流电流放大系数β值)不能用万用表的hFE档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极C 与基极B之间并接1只30 kΩ的电位器，然后再将行输出管各电极与hFE插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。

　　2.带阻晶体管的检测

　　因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。

　　测量时，将万用表置于R×1k档，测量带阻晶体管集电极C与发射极E之间的电阻值(测NPN管时，应将黑表笔接C极，红表笔接E极;测PNP管时，应将红表笔接C极，黑表笔接E极)，正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极B与集电极C之间短路后，则应有小于50kΩ的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。

　　也可以用测量带阻晶体管BE极、CB极及CE极之间正、反向电阻值的方法(应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响)来估测晶体管是否损坏。

　　3.光敏三极管的检测

　　光敏三极管只有集电极C和发射极E两个引脚，基极B为受窗口。通常，较长(或靠近管键的一端)的引脚为E极，较短的引脚的C极。达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为C极。

　　检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于R×1k档。红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。若测出一定阻值或阻值接近0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。

　　测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近光源，正常时应有15"30kΩ的电阻值。则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。