精确测量功率MOSFET的导通电阻

图3 由于基底电阻率造成的仿真结果的误差

　　探针在待测器件上的摆放位置必须保持一致。探针位置的变化会造成测量结果的变化。待测器件左侧和右侧器件上探针的位置（见图2中的A和D）也会影响测量结果，但是影响没有前者大。造成这种测量误差的原因在于顶部金属的表面电阻大于0。

　　将探针B或C从源极焊盘中心向边缘移动会导致较大的误差。图4显示了移动探针B或C所产生的误差。每条线表示RDS(on) 2%的误差。在绘制这张图时，使用了5μm×5μm的网格。每次只移动一个探针的位置。

图4 探针位置所引起的误差
　　

　　相邻晶粒方法是一种成本低廉、精确地以晶圆形式测量MOSFET有源区的RDS(on)的方法。它在检测不同批次晶圆的差别方面非常有用。