IQE推出新一代SiC基GaN外延晶圆 对卫星通信和5G应用至关重要

IQE已经确认提供商用100mm的SiC基GaN外延晶圆。使用该晶圆所生产的晶体管器件，得到了破纪录的高增益和高功率密度，并首次使工作于0 - 40 GHz频率范围内的有效高压/高功率宽带柔性单片微波集成电路（MMIC）设计成功。

40GHz高频微波功能（也被称为Ka波段）是卫星通信必不可少的，对下一代（5G）无线通信也越来越重要的。但目前，设计师们还无法使器件同时实现高频率与高功率密度。

IQE的这项突破性研究结果发表在IEEE电子器件快报上，题目为"高功率密度X波段AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在毫米波单片微波集成电路的实现"。

该论文中提到，通过实施0.14µm栅长GaN MMIC工艺将两种不同的器件合并在一起，使其能同时在高效Ka波段和高功率密度波段工作。作者在一个标准的4×65微米T型场效应管及一个4 x 75微米T型场效应管上分别取得了7.7 W / mm、35 GHz、VDS = 30 V和12.5 W / mm、10 GHz、VDS = 60 V的测试结果。这是在一个单一的宽带GaN MMIC工艺上同时实现X波段和Ka波段的最高功率密度。

这些外延晶圆是IQE公司新泽西工厂使用MOCVD设备在4英寸半绝缘SiC衬底上制作完成的。

美国空军研究实验室传感器局航空航天组件事业部从IQE购买SiC基GaN外延晶圆制备出HEMT器件。

IQE电力业务副总裁韦恩约翰逊表示，这些GaN-on-SiC晶圆的研制成功证明了IQE具有破纪录的产生能力，是世界领先的商业平台，同时该项成果对当今先进的卫星通信和下一代无线技术至关重要。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所 张慧）