三菱电机推出用GaN HEMT技术的 L波段～C波段放大器

三菱电机日前宣布研发成功三款输出功率为10W、20W和40W的GaN HEMT模组。这三类模组支援L波段到C波段的放大器应用，可以应用於手机基站以及卫星通信地面站等设备中。样品从2010年8月开始提供。（L波段∶0.5GHz～2GHz、S波段∶2 GHz～4GHz、C波段∶在4 GHz～8GHz以内，到6GHz为止）

新产品的特点

• 大功率、高效率、高电压工作的GaN HEMT
- 推出输出功率分别为10W、20W、40W，可用於从0.5GHz至6GHz的产品，以扩充产品阵容
- 高效率，实现46%以上的功率附加效率
- 可在47V的高电压下工作

• 4.4 mm×14.0 mm的小型封装
- 4.4 mm×14.0 mm的小型封装可减少装配面积

销售概要

产品名	型号	输出功率	功率附加效率	样品出货日期
GaN HEMT
	MGF0846G	46dBm(40W)	46%	8月1日

销售目标

通信器材的发射部分以往使用的是GaAs（砷化镓）功率放大器。近年来，比GaAs具更高饱和电子速度与更高击穿电压的GaN HEMT也备受关注。GaN HEMT的特点是功率附加效率佳，有助於发射机的小型化、轻量化、节电及延长其使用寿命。本公司从2010年3月开始，业已推出可用于卫星搭载的C波段GaN HEMT样品。

本次，针对用於手机基站及卫星通信地球站等的射频功率放大器，将推出3款输出功率分别为10W、20W、40W 的GaN HEMT样品。

主要规格

型号		MGF0846G	MGF0843G	MGF0840G
工作条件	VDS	47V	47V	47V
	IDQ	340mA	170mA	90mA
频率		0.5GHz～6GHz（L波段/ S波段/ C波段）
3dB增益 压缩点功率	P3dB(标准值)	40W	20W	10W
线性增益	Glp(标准值)	12dB	13dB	14dB
功率附加效率	PAE(标准值)	46％	48％	50％