半导体导入纳米级 面临考验

计量技术与半导体技术创新。半导体技术进入纳米等级之量测需求，面临相当多的挑战。28纳米线宽量测重复性要求控制在0.2纳米内，超出目前量测仪器能力。并且产品蚀刻后之深度及形貌的实时量测，亦是目前的挑战。而薄膜量测已非只专注传统单纯二氧化硅厚度，新材料如高介电系数或低介电系数之氧化层的标准厚度及组成特性之量测标准，是目前业界急需投入的课题。另外，磊晶的标准厚度及组成特性之量测标准亦是即将面对的挑战。

　　 产品缺陷侦测，在制程进入45纳米，表面粒径侦测能力需求在35纳米内，面临量测仪器能力表面粒径侦测能力不足的问题。

　　 过去工研院量测中心在二氧化硅厚度及纳米线宽标准，均成功建立可让业界追溯之标准。在未来更加挑战的纳米制程控制要求，量测技术的发展将会日益严峻，若业界可藉由外界的量测服务支持，或透过合作发展的模式，将会是重要的竞争优势。目前除线宽，二氧化硅厚度、形貌角度及缺陷标准之建立，是业界急需建立追溯之标准。

　　 量测技术的发展，除了基础的标准建立，技术咨询的建立也是另一个课题。制程的控制除了误差的控制，稳定度的精进，量测方法的精进必须透过专业的研究发展达成，也涵盖了工程及统计技术的支持。若能在量测中心培养专业的人才，建立良好的技术咨询，对于业界有限的资源来说，是很大的帮助。

发布者：小宇