图解触摸屏的电磁干扰问题
开发具有触摸屏人机界面的移动手持设备是一项复杂的设计挑战，尤其是对于投射式电容触摸屏设计来说更是如此，它代表了当前多点触摸界面的主流技术。投射式 电容触摸屏能够精确定位手指轻触屏幕的位置，它通过测量电容的微小变化来判别手指位置。在此类触摸屏应用中，需要考虑的一个关键设计问题是电磁干扰 (EMI)对系统性能的影响。干扰引起的性能下降可能对触摸屏设计产生不利影响，本文将对这些干扰源进行探讨和分析。
投射式电容触摸屏结构
典型的投射式电容传感器安装在玻璃或塑料盖板下方。图1所示为双层式传感器的简化边视图。发射(Tx)和接收(Rx)电极连接到透明的氧化铟锡 (ITO)，形成交叉矩阵，每个Tx-Rx结点都有一个特征电容。Tx ITO位于Rx ITO下方，由一层聚合物薄膜或光学胶(OCA)隔开。如图所示，Tx电极的方向从左至右，Rx电极的方向从纸外指向纸内。
图1：传感器结构参考。
传感器工作原理
让我们暂不考虑干扰因素，来对触摸屏的工作进行分析：操作人员的手指标称处在地电势。Rx通过触摸屏控制器电路被保持在地电势，而Tx电压则可变。变化的 Tx电压使电流通过Tx-Rx电容。一个仔细平衡过的Rx集成电路，隔离并测量进入Rx的电荷，测量到的电荷代表连接Tx和Rx的"互电容"。
传感器状态：未触摸
图2显示了未触摸状态下的磁力线示意图。在没有手指触碰的情况下，Tx-Rx磁力线占据了盖板内相当大的空间。边缘磁力线投射到电极结构之外，因此，术语"投射式电容"由之而来。
图2：未触摸状态下的磁力线。
传感器状态：触摸
当手指触摸盖板时，Tx与手指之间形成磁力线，这些磁力线取代了大量的Tx-Rx边缘磁场，如图3所示。通过这种方式，手指触摸减少了Tx-Rx互电容。 电荷测量电路识别出变化的电容(△C)，从而检测到Tx-Rx结点上方的手指。通过对Tx-Rx矩阵的所有交叉点进行△C测量，便可得到整个面板的触摸分 布图。
图3还显示出另外一个重要影响：手指和Rx电极之间的电容耦合。通过这条路径，电干扰可能会耦合到Rx。某些程度的手指-Rx耦合是不可避免的。
图3：触摸状态下的磁力线。
专用术语
投射式电容触摸屏的干扰通过不易察觉的寄生路径耦合产生。术语"地"通常既可用于指直流电路的参考节点，又可用于指低阻抗连接到大地：二者并非相同术语。 实际上，对于便携式触摸屏设备来说，这种差别正是引起触摸耦合干扰的根本原因。为了澄清和避免混淆，我们使用以下术语来评估触摸屏干扰。
LCD Vcom耦合到触摸屏接收线路
便携式设备触摸屏可以直接安装到LCD显示屏上。在典型的LCD架构中，液晶材料由透明的上下电极提供偏置。下方的多个电极决定了显示屏的多个单像素；上 方的公共电极则是覆盖显示屏整个可视前端的连续平面，它偏置在电压Vcom。在典型的低压便携式设备(例如手机)中，交流Vcom电压为在直流地和 3.3V之间来回震荡的方波。交流Vcom电平通常每个显示行切换一次，因此，所产生的交流Vcom频率为显示帧刷新率与行数乘积的1/2。一个典型的便 携式设备的交流Vcom频率可能为15kHz。图4为LCD Vcom电压耦合到触摸屏的示意图。
图4：LCD Vcom干扰耦合模型。
双层触摸屏由布满Tx阵列和Rx阵列的分离ITO层组成，中间用电介质层隔开。Tx线占据Tx阵列间距的整个宽度，线与线之间仅以制造所需的最小间距隔 开。这种架构被称为自屏蔽式，因为Tx阵列将Rx阵列与LCD Vcom屏蔽开。然而，通过Tx带间空隙，耦合仍然可能发生。
为降低架构成本并获得更好的透明度，单层触摸屏将Tx和Rx阵列安装在单个ITO层上，并通过单独的桥依次跨接各个阵列。因此，Tx阵列不能在LCD Vcom平面和传感器Rx电极之间形成屏蔽层。这有可能发生严重的Vcom干扰耦合情况。
充电器干扰
触摸屏干扰的另一个潜在来源是电源供电手机充电器的开关电源。干扰通过手指耦合到触摸屏上，如图5所示。小型手机充电器通常有交流电源火线和零线输入，但 没有地线连接。充电器是安全隔离的，所以在电源输入和充电器次级线圈之间没有直流连接。然而，这仍然会通过开关电源隔离变压器产生电容耦合。充电器干扰通 过手指触摸屏幕而形成返回路径。
图5：充电器干扰耦合模型。
注意：在这种情况下，充电器干扰是指设备相对于地的外加电压。这种干扰可能会因其在直流电源和直流地上等值，而被描述成"共模"干扰。在充电器输出的直流 电源和直流地之间产生的电源开关噪声，如果没有被充分滤除，则可能会影响触摸屏的正常运行。这种电源抑制比(PSRR)问题是另外一个问题，本文不做讨论。