LED芯片封装缺陷检测方法研究

3结论

针对引脚式LED芯片封装过程中存在的封装缺陷问题，基于p-n结的光生伏特效应，利用电子隧穿效应分析了一种封装缺陷对LED性能的影响。理论分析表明，当LED芯片电极表面存在非金属膜层时，流过LED支架回路的光电流小于光生电流，随着膜层厚度的增加，回路光电流逐渐减小，其检测信号减小。通过非接触法检测待测LED光激励信号并与焊接合格的LED光激励信号进行比较，实现对引脚式封装LED芯片在压焊工序中／后的功能状态及封装缺陷的检测。分析了影响检测精度的因素。用焊接合格与芯片电极表面存在非金属膜的12mil黄LED样品进行实验，结果表明，该方法可以检测LED支架回路微安量级光生电流信号，并具有较高的信噪比，检测结果能实现对焊接质量合格与芯片失效或存在封装缺陷的LED的区分，达到对LED芯片在压焊工序中／后的功能状态及封装缺陷检测的目的，从而降低LED生产成本、提高产品质量、避免使用存在缺陷的LED造成重大损失。 （编辑：吕勇）