最新液晶显示技术追踪

LCD以其特有的优势形成了庞大的产业，但仍然面对强大的竞争压力，一是来自传统的低成本的CRT，还来自正在开发和成长中的其它平板显示技术，如PDP|0">

，是比较理想的材料。IBM利用Al-Nd合金作为栅电极，开发出１６.3英寸超高解析度（200ppi） QSXGA（２５６０×３×２０４８）a-Si TFT 显示器，并在DTI姬路工厂实现批量生产，在1999年4月电子显示展览会上东芝公司推出的２0.8 16-SVGA(3200*2400) a-Si TFT-LCD，可谓是目前a-Si TFT-LCD 在高解析度和高容量方面的最高水平。而在大尺寸方面，应首推Sharp 公司于今年1月26 日发表的 28型液晶TV(1280*768)。实现高解析度液晶显示的另一重要途径是开发低温P-Si TFT 技术， 目前已发表的P-Si TFT-LCD 产品的解析度多在200ppi左右。

反射型LCD

印刷品的反射率在50%-80%， 对比度约为5，因反射式彩色LCD显示的最终目标是取代印刷品，所以在技术开发中，把反射率和对比度作为最重要的考察指标。为实现高画质的反射型LCD商品化,研究开发工作十分活跃，已先后提出TN-ECB模式、混合排列TN模式，反射式OCB模式等。目前的研究工作主要是对对现行商品中使用的1枚偏振片的方式和部分光学部件进一步改良,进行无偏振片模式和光学部件的开发，以期实现下一代的高明亮度的反射式彩色LCD。对于单偏振片模中，反射电极对亮度的影响很大。D-L.Ting等报道了在液晶屏内形成倾斜微反射面的方法,在避开通过液晶层后的反射光和表面反射光的角度观察，实现了较好的明亮度（40%）和对比度（20：1），Kazuhiko Tsuda 等则研究了微反射面反射电极的理论计算方法，对器件的设计具有重要意义。

日本FLUYA金属开发的AgPdCu合金，其反射率比铝高7%-8%，电阻率低于Ti和Ta，有望成为下一代反射式彩色LCD 显示的电极材料。

Yoshiyuki Higashigaki等为解决单偏振片模式中凸凹型反射电极的乱反射影响视角和对比度等问题，使用全息记录膜制作出全息型指向性彩色滤光膜。兼具有反射膜的功能，可使入射角30°以外的入射光在指向角内反射，与标准反射板相比，反射率提高3.5倍。同时，色再现性、色度随入射角的偏移都表现出比普通透过型彩色滤光膜优异的性能。为有效利用环境光，Shao等提出了微锥膜法，从指向性反射膜和微锥膜的工作原理来看，可以应用于多种反射式器件，包括无偏振片模式。

由于1枚偏振片就使外部环境光的50%不能利用，所以开发无偏振片的明亮模式的要求更强烈。通过PDLC散射光的反射式彩色LCD，构造更简单，也实现了较高的明亮度（30%）和对比度（20）。还有利用液晶和液晶中分散的高分子，通过全息方法，形成反射式彩色显示的HPDLC技术，在这种方案中，控制制作的光学条件和单体的扩散是关键。使用胆甾相液晶，在0～20V间调节电压，使其在平面状态和焦锥状态转换， 可实现30%的反射率，并得到了无灰度反转的反射式辉度显示。无偏振片的另一方法是利用GH效应，为得到高明亮度，需要多液晶层结构，实现多液晶层间的薄膜隔离和取向是关键。99年SID 会议上，IBM发表了2层320ppi、4英寸TFT-LCD原型样机的试制结果，单色反射率达到60%，对比度为8：1，在SID 2000还将报道工艺上取得的新进展。

有源驱动技术

自从90年代初a-Si TFT-LCD 产业化以来,在显示质量、大尺寸和高解析度方面都有了飞跃的发展，其潜力几乎已经发挥到极限。在90年代后期，市场所追求的高画质和低价格，使得众多厂家投入低温多晶硅LTPS的研究，包括夏普、三洋电机、索尼、东芝、富士通、三菱电机等。

a-Si 的迁移率一般小于1 cm2/V.s ， 而p-Si的迁移率要高100倍，可以将周边驱动电路集成在液晶屏上，从而降低引线密度（一般为a-Si的1/20），实现a-Si TFT-LCD 难于达到的轻、薄和窄边等要求。还可降低驱动IC 所需的成本。又因p-Si有较高的迁移率，可以 缩小TFT的面积，在达到高解析度的同时，保持或实现更高的开口率，满足提高亮度、降低功耗的要求。

东芝公司在p-Si TFT-LCD 的产业化方面居于领先地位，先后推出了8.4英寸SVGA，10.4、12.1英寸XGA产品，开口率都在60%以上，显示了p-Si技术的优势。在99年日本电子产品展览会上，东芝又推出了15英寸UXGA LTPS TFT-LCD，是至今为止世界上最大尺寸的p-Si TFT-LCD 产品。在同一展会上， 索尼公司也展出了14.1英寸LTPS TFT-LCD。在中小型 p-Si TFT-LCD， 东芝推出的4英寸VGA 和6.3英寸 XGA 产品， 解析度都超过了200ppi。自从1996年p-Si TFT-LCD在日本投入试生产以来，发展十分迅速，技术也日趋成熟，这也是近两年日本大规模向海外转移a-Si TFT-LCD生产技术的一个重要原因。从目前进展看，21世纪初LTPS TFT-L