三菱电机开始提供高频用混合SiC功率半导体模块样品

三菱电机株式会社于5月15日开始提供高频用混合SiC功率半导体样品，该功率半导体的二极管部分采用SiliconCarbide（碳化硅）的材料。通过采用碳化硅（SiC）技术，对于使用电力逆变器如不间断供电电源（UPS）、医疗器械专用电源、太阳能逆变器等电力电子装置而言，将更有助于其实现高效化、小型化和轻量化。

近年来，从有效利用能源的观点出发，使用碳化硅（SiC）的功率半导体可以大幅降低功率损耗并可实现功率器件高速开关，因而用户对它的期盼日益迫切。此前，针对不间断供电电源装置（UPS）、医疗器械专用电源等需要进行高频开关操作的电力电子装置，三菱电机已经提供了开关特性最优化的功率半导体模块"NFH系列"。

现在，通过进一步的研制开发，三菱电机开始提供高频用混合型碳化硅（SiC）模块的样品，该模块作为"NFH系列"的新阵容，通过采用SiC-SBD，可以大幅降低功率损耗。

高频用混合SiC功率半导体模块使用"New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)"开发技术的一部分。

CMH100DY-24NFH CMH150DY-24NFH

CMH 200DU-24NFH CMH300DU-24NFH

CMH 400DU-24NFH CMH 600DU-24NFH

高频用混合SiC功率半导体模块

新产品的特点

1．损耗减少约40%，有助于实现装置的高效化、小型化和轻量化

?采用SchottkyBarrierDiode（肖特基势垒二极管）用于二极管、高频开关Si-IGBT用于晶体管的混合型结构。
?SiC-SBD由于不会产生反向恢复电流，可使开关的损耗大幅降低，损耗降低约40%，因而有助于实现装置的高效化。
?由于损耗大幅减少，将有利于散热装置的进一步小型化、轻量化，而功率器件的高频化则有助于实现电抗器等配件的小型化和轻量化。

2．内部寄生电感降低，可有效抑制浪涌电压

?采用适用高速开关的低电感封装。
?100A、150A产品与以往采用硅(Si) 的高频用IGBT模块"NFH系列"产品相比，内部寄生电感约降低30%。

3．与以往产品封装保持一致，方便用户替换

?确保了与以往产品※4的封装一致性，因而可以直接替换。

新产品的概要

产品名	型号	概要	样品出厂日期
高频用混合SiC 功率半导体模块	CMH100DY-24NFH	1200V/100A2in1	5月15日
	CMH150DY-24NFH	1200V/150A2in1
	CMH200DU-24NFH	1200V/200A2in1
	CMH300DU-24NFH	1200V/300A2in1
	CMH400DU-24NFH	1200V/400A2in1
	CMH600DU-24NFH	1200V/600A2in1