Cree量产第二代碳化硅MOSFET 可显著降低功率转换系统成本

Cree（科瑞公司）发布第二代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），与同等成本的硅器件相比，可以使系统的效率更高、尺寸更小。与该公司上一代MOSFET相比，新一代1200V MOSFET的成本降低一半。如此高的性价比可为原始设备制造商（OEM）节省系统成本，而且该产品尺寸小、重量轻，可使终端用户提高效率、降低安装成本。

"我们已经评估了太阳能电路中使用的科瑞公司第二代SiC MOSFET。"德国弗劳恩霍夫研究所的著名行业专家布鲁诺·伯格表示，"该SiC MOSFET具有最高的效率，可使系统以更高的开关频率运行，系统因此可以选用较小的无源元件，特别是电感器。这大幅提高了太阳能逆变器的性价比，并能支撑更小、更轻、更有效的系统。"

"基于新的MOSFET平台，我们设计了多个领域的产品。"科瑞公司功率与射频部的总经理钦吉斯·巴尔卡斯表示，"由于第二代SiC MOSFET很快被接受，我们正提前把预生产时的产品运交给几个客户，同时我们也在提高生产线产能。"

在一些高功率应用领域，这些性能优越的新型SiC MOSFET可使所需的额定电流减少50～70%。对于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）来说，在效率提高的同时，尺寸和重量也大为减少；在电机驱动领域，与硅基方案相比，其功率密度和最大扭矩增加一倍以上。其产品范围广泛，甚至包括针对30kW以上高功率电源模块市场的25兆欧（mOhm）器件。