Cree研制出军用500瓦氮化镓高电子迁移率晶体管

美国科锐（Cree）公司日前推出500W氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CGHV14500，适用于1.2～1.4GHz的L波段雷达放大器系统。同时，还推出了型号为CGHV14250的250W的氮化镓HEMT。据该公司表示，晶体管具有在L波段85℃温度下工作的最高效率。潜在应用范围包括工作在特高频（UHF）和1.8GHz之间的战术空中导航系统（TACAN）、敌我识别系统（IFF）和军事遥测等。

该两种器件由科锐公司50V、0.4μm碳化硅基氮化镓工艺生产线制成，提供陶瓷/金属法兰（flange）和丸状（pill）封装形式，并称体积小于与其竞争的砷化镓和硅射频器件。

输入在内部预先匹配。在85℃下，500W器件的功率增益为17dB，典型漏极效率为70%；250W器件典型输出功率达到330W，功率增益为18dB，典型漏极效率为77%；两者均具有0.3dB的脉冲幅度下降。

Agilent ADS和AWR Microwave软件均可提供该两种器件的大规模仿真模型，Digikey公司也计划在9月份进行库存备货。

（工业和信息化部电子科学技术情报研究所  张倩）