藏在5G下的巨大商机，这些应用让FD-SOI兴起

时间：10-17 来源：新电子点击：

物联网(IoT)应用将带动全耗尽型(Fully Detleted)制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德(GlobalFoundries)除持续发展14纳米及7纳米鳍式电晶体(FinFET)制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆矽(FD-SOI)市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。

格罗方德技术长暨全球研发资深副总裁Gary Patton表示，FinFET虽为目前主流制程技术，但也相对复杂且成本高，有些中小型的IC设计公司无法负担FinFET昂贵的光罩成本。为满足物联网产品少量多样需求，并降低成本，且又要具备一定效能，FD-SOI技术逐渐兴起。未来十年5G将会是FD-SOI市场重要的成长推手；另外，行动运算、人工智慧、虚拟实境(VR)/扩增实境(AR)，以及汽车电子等应用市场，也都是此一技术应用重点。

Patton进一步指出，物联网，行动运算和5G的巨大商机，可望加速FDX成长，而FDX和FinFET技术事实上是互补的，并非互相竞争的关系，两者各有不同的市场定位。一般来说，FinFET适用于较大的裸晶(Die)，FDX适用于较小的裸晶；对于较无成本考量的客户而言，可使用FinFET以实现高性能与高密度产品，若是有成本考量的客户，则能采用FDX，以满足低功耗、低成本及小尺寸需求。

据悉，GlobalFoundries在FD-SOI技术上目前已有两项产品规划。首先是22FDX，该产品已于2015年发布，其运作电压为0.4伏特，可达到超低动态功耗、更低热效应，以及更精巧的产品尺寸规格。相较于28纳米，22FDX尺寸缩减20%，光罩数目减少10%，功耗比28nm HKMG制程少70%，且单一晶片可以整合RF功能。目前22FDX制程设计套件已于2016年第2季完成，预计2017年第1季可以进入量产。

至于12FDX则号称可提供与10纳米FinFET制程相当的性能，但是功耗表现更好，成本也比16纳米FinFET低，将适用于行动运算、5G通讯、人工智慧、AR/VR、无人机，以及自动驾驶车辆等应用领域。12FDX制程的客户投片时程预计在2019上半年。

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