终端芯片下一站：16纳米

据咨询公司SA的统计和预测，2014年LTE芯片出货量有望接近5亿片，占移动通信芯片总出货量的35%，3年累计平均增长率达83.6%。4G芯片市场已经成为移动芯片主流企业的必争之地和市场存活的关键因素。

多模多频仍是近期4G终端芯片研发的核心需求。移动通信 2G/3G/LTE等多制式将长期并存，全球各个国家和地区通信制式的多样化及频段组合的多样化也会长期存在。终端芯片支持5模甚至6模十个频段以上将是芯片企业满足市场需求和最大化规模效益的主要方向。在此基础上，针对区域市场的按需裁剪和定制化开发使得LTE终端的制式组合呈现更为复杂和多样化的特征。截至2014年10月，在国内获得进网许可的634 款4G手机共有11种模式组合。

LTE-Advanced成为下一步4G芯片研发和演进的主要方向，并推动芯片工艺和技术水平进一步升级。LTE-Advanced可有效提高移动终端芯片的数据传输速率，更好地满足快速增长的移动互联网业务需求。为满足LTE-A的技术要求，基带和射频芯片需提升对大数据量的接收和处理能力，同时需平衡成本和功耗性能。虽然28nm工艺可较好满足LTE类型3(Cat3)和类型4(Cat4)终端芯片的需求，但从功耗、性能和芯片面积角度来看，更高能力等级（Cat6及以上）的终端芯片对20nm甚至16nm工艺节点提出了要求。

芯片集成和一体化设计成为4G芯片发展的新趋势。随着终端支持的频段数量不断增加，射频芯片需要提供更多的发射/接收通道，并集成更多的射频前端器件。体积、性能、干扰成为越来越大的技术挑战。前端器件宽频化、集成化（PA、开关、滤波器等）设计，成为射频前端器件的发展趋势。基带芯片和应用处理器共同构成的片上系统 (SoC)方案、基带和射频一体化方案，将继续在降低芯片成本和终端设计难度上发挥重要作用。