ARM与中芯国际针对移动与消费应用扩展28纳米制程工艺IP合作

2014年2月9日--ARM与中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际（纽约交易所：SMI；香港联交所：981）今日共同宣布，双方针对ARM® Artisan® 物理IP签订合作协议，为中芯国际的28纳米poly SiON（PS）制程工艺提供高性能、高密度、低功耗的系统级芯片（SoC）设计支持。

基于这项合作，中芯国际与ARM将为广大的消费应用提供全面的物理IP平台与先进制程工艺技术。这些应用均针对快速成长的智能手机、平板电脑、无线设备、以及智能家居等市场。

中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士表示："我们对于能够支持ARM Artisan标准单元与新一代内存编译器，感到十分高兴。这次与ARM的进一步合作将有助于我们的客户在成本与功耗上实现更优异的SoC设计。"

ARM执行副总裁兼物理设计部门总经理Dipesh Patel博士表示："ARM Artisan标准单元与内存编译器可为客户提供高质量与符合硅标准的设计产品，完全满足客户在缩短上市时间的要求。通过与中芯国际加深在28纳米 PS工艺上的合作，ARM再次践行了我们的一贯承诺-与业界领先的晶圆代工企业强强联手，为客户提供最佳的SoC设计实现。"

ARM物理IP平台
针对中芯国际28纳米poly SiON（PS）制程工艺的ARM Artisan物理IP平台，为实现广泛的性能范围及经过面积优化的低功耗SoC设计提供了基础构件。同时，ARM经过硅验证的IP平台提供了全面的整套内存编译器、标准单元与逻辑IP以及通用型的接口产品，以应对大部分移动通信与计算对性能与功耗的需求。

通过ARM标准单元库及内存编译器，配合多沟道及混合阈值电压（Vt）特性，用户不仅能够利用到中芯国际poly SiON尖端制程工艺的性能与功耗范围，还将获得更广泛的性能与功率谱。这些特性确保了在重视性能的SoC设计的同时，也能满足功耗需求。