中芯国际45nm设备进厂 年底试产

中芯国际45纳米工艺技术再获重大进展，继与IBM签定技术授权合作协议后，中芯45纳米最重要武器浸润式微显影(immersion lithography)设备在29日正式由上海浦东机场，移往中芯上海厂区Fab8，这也是中芯自有第1台45纳米工艺技术设备，预计最快2008年底进入试产阶段。另外，由中芯所代管武汉新芯，之前亦曾进口这款浸润式微显影机种。

中芯自有第1台45纳米浸润式微显影机种，29日搭乘波音747国际货运包机直接运抵上海浦东国际机场，整台设备重达约40吨，体积逾160立方米，为进行运输，约分装29个温控集装箱，由于设备极度精密，享有超贵宾级待遇和红地毯式全程护送，直接运抵中芯上海厂区Fab8，全程中芯可说小心到家，并未对外公开。

目前全球供应浸润式微显影机种有3家厂商，分别是荷兰ASML、日商佳能(Canon)及尼康(Nikon)，据了解，中芯自用机款与之前武汉新芯所进口机种，都是向ASML采购，价值不斐，由于浸润式微显影机种是半导体工艺中最敏感的1道工艺技术，包括运送、装卸都必须相当小心。

中芯则透露，上海12英寸厂Fab8中4条生产线首批产品仍将采用90纳米工艺，但亦积极酝酿65、45纳米芯片生产事宜，并计划2008年底试产45纳米芯片。中芯日前已宣布加入IBM 45纳米工艺技术阵营，技术来源已不成问题，加上最关键设备已到位，业界纷揣测中芯是为哪家客户生产45纳米芯片。此外，中芯总裁兼首席执行长张汝京亦承诺2009年6月将引进浸润式光刻机，成为未来中芯量产45纳米芯片有力保证。

目前在晶圆代工领域，45纳米工艺技术仍以台积电取得领先地位，面对竞争对手来势汹汹，台积电已率先以40纳米工艺技术取代45纳米，并配合完整设计流程8.0、9.0版本，协助客户从设计快速进入成功量产，尽管40纳米已进入量产，但最快2009年才会明显放量，2008年还是以65纳米工艺增长最快，而包括联电、新加坡特许(Chartered)等也紧追在后。