飞思卡尔首款GaN PA瞄准蜂窝式基础设备
飞思卡尔(Freescale)推出旗下首款采用氮化镓(GaN)技术的RF功率放大器AFG25HW355S 。该公司的RF功率GaN产品初步将以蜂巢基础设备市场为目标,未来可能的应用则包括航空电子、雷达、ISM与软件无线电等。
目前飞思卡尔提供的RF功率产品包括12伏、28伏与50伏的硅晶LDMOS产品,5伏的GaAs HBT,5伏与12伏的GaAs pHEMT解决方案,以及工作频率可达100 GHz以上的高频SiGe技术。
AFG25HW355S是一款350瓦、单一封装高性能(HiP)、2:1的非对称组件,其特色及预定性能目标为:2.3 GHz至2.7 GHz、尖峰功率56 dBm、效益达50%、增益达16 dB、采用NI-780封装。
飞思卡尔指出,在功率放大器里采用GaN技术的好处包括缩小产品尺寸、降低寄生损耗、增加功率密度、高频率运作等等。潜在的GaN蜂巢应用包括准线性、高效益、高功率脉冲(非线性)应用,宽带PAs及switch-mode放大器组态等等。
飞思卡尔RF部门副总裁兼总经理Ritu Favre表示,自2000年中开发GaN以来,该公司已经建立了兼具成本效益、性能及可靠性的产品组合,而现在正是将采用GaN的产品加入到该公司RF功率放大器解决方案中的最佳时机。
AFG25HW355S即将提供有限样品给特定客户,预计2013年第二季量产及大量出货。
关于飞思卡尔半导体
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