微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 通信和网络 > 通信网络业界新闻 > 如何重建崩解中的内存产业?

如何重建崩解中的内存产业?

时间:06-08 来源:电子工程专辑 点击:
内存|0">内存产业的经营模式面临崩解,产业观察家认为,解决之道是更理性的行为以及整并。以上是一场于美国举行的、探讨内存技术与市场趋势的Memcon研讨会上,某业界高层所发表的看法。

持续低迷的内存产业景气让所有的供货商荷包大失血,他们之中有不少都面临巨额亏损;而且奇梦达(Qimonda)与Spansion已经分别声请破产。谁会是下一个?产业观察家现在怀疑台湾地区的众家DRAM|0">DRAM制造商可能撑不下去,甚至认为就连Elpida、Hynix与Micron等大厂也命在旦夕。

不过也有人预期,内存产业将在09年第四季或2010年第一季复苏;其它人则不能确定,因为市场需求与内存平均销售价格(ASP)仍然疲软。

"内存产业经营模式已经崩解;"一家新创非挥发性内存供货商Unity Semiconductor董事长、总裁暨执行长Darrell Rinerson表示,供货商们正在为生存而相互斗争,而谁将能成为产业复苏的最后幸存者,将取决于供货商的心态。

内存产业的低迷时期已经持续多年,该市场衰退的原因包括需求不振、价格疲软以及供应过剩。眼前的萧条情况没什么特殊之处,需求水准仍然低落,而且最近刚有过一波无节制的、不理性的产能扩充潮发生,尤其是在台湾地区。

但Rinerson认为,这一次内存产业衰退在某些方面又与过去的景气循环时期有所不同。在过去,景气大好时能让供货商赚到不少现金,可直接用于新资本设备的添购或产品的创新,而现在,荣景虽能带来现金,作为资本支出却嫌太少:"供货商没有足够的现金来实现创新。"

对Rinerson来说,产业前景是黯淡无光的,没有征兆显示内存产业模式能够被修复,尤其多数内存业者都负债累累,不再是创新者;当内存供货商们无法逃出严重的负债循环,内存产业模式也就会持续往下堕落。

半导体分析师鼓吹内存制造商整并已有好一段时间,他们已经将政府金援策略搁在一边,认为只有整并才能使内存产业恢复获利与健全;分析师并指出,内存供货商必须在产能扩充与产品定价上采取更理性的态度。

这些呼吁大多数是直指台湾地区的内存供货商,但当地的DRAM厂已对整并表示抗拒。

幸好内存产业还有一线生机──据Rinerson表示,新一代内存技术已经迈入成熟阶段,特别是服务器等系统应用的储存级内存(storage- class memories);所谓的储存级内存,号称是可作为处理器与系统磁盘之间I/O间距(gap)之桥梁的新一代组件。

储存级内存包括部份(非全部)所谓的通用内存(universal memory'),例如FRAM、MRAM、相变化(phase-change)、RRAM等新技术;不过这些新一代技术大部份距离实现还有数年,有人甚 至怀疑这些新技术是否能真的脱离原型阶段进入量产。

因此产业顾问公司JLC Associates总裁Jim Cantore认为,大多数的新内存技术恐怕暂时难以摆脱窘境,而现有的内存技术如DRAM、NAND与NOR,将继续扩张它们的市场版图并开创新应用。

新一代内存技术的开发者还在积极开发产品,他们也有很好的理由──市场研究机构Web-Feet Research执行长Alan Niebel估计,储存级内存市场将在09年由0达到5,000万美元,甚至在2015年扩张到60亿美元。

在该领域也有不少厂商,Unity Semiconductor就是其中之一,该公司的CMOx技术是以一种称为导电金属氧化物(conductive metal oxides)的新材料为基础,据说能导致离子运动;利用该技术,Unity Semiconductor开发出一种被动式可重复读写交叉点内存数组(passive rewritable crosspoint memory array),号称在内存单元内不需要晶体管。

另外还有一家新创公司Qs Semiconductor不久前神秘兮兮地出现,说他们正在开发一种以碳硅(carbon-silicon)或碳化硅(silicon carbide,SiC)材料为基础的、采用硅基板的非挥发性内存。

另两家内存大厂Numonyx与Samsung Electronics,不久前也宣布将联手开发相变化内存技术,预计今年可订出共同规格,并在2010年推出产品。

新 组件也需要新的标准;Numonyx表示,以JEDEC 42.6为基础的LPDDR2接口将成为新一代1Gbit、45nm制程内存的标准,目标应用于手机、嵌入式内存与高阶运算装置。手机大厂Nokia 也支持该标准;据了解,该公司计划在手机内使用相变化内存技术,这也是促使Numonyx与Samsung策略联盟的主因。

至于传统内存技术的前景,状况则有些复杂;分析师表示,包括ARM、Denali、Synopsys、Virage等内存接口IP供货商的业绩,目前已看到好转。NOR/NAND闪存市场预计在09年达到185亿美元规模,较08年衰退9.5%。

Web-Feet的Niebel预期,整体内存产业的衰退情况将在今年第四季或明年第一季终止,内存价格已经趋于稳定,多个应用领域也开始看到微幅需求成长。JLC的Cantore补充指出:"NAND市场的恢复速度会比DRAM市场来得快。"

在DRAM市场部份,Lazard Capital Markets分析师Daniel Amir表示,DRAM价格平稳,若状况持续,DRAM厂商可能会开始提升产能;目前整体DRAM库存水位也在低点。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top