DRAM替代品现身 软性忆阻器开启内存科技新大门

据港台媒体报道，美国国家标准和技术研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在进行软性忆阻器 (Flexible memristor) 的开发研究，希望能为内存|0">内存科技打开新的大门。这项技术虽然相当创新，但其实去年已经先由惠普对外展示它灵活的形式，让外界为之惊艳。

根据《CENT》报导，NIST 表示目前忆阻器 (memristor) 是以防晒乳与牙膏的原料─二氧化钛制造而成，是种轻薄又灵活的透明聚合物。NIST 研究团队表示，这项新开发的忆阻器能在不到 10 伏特的电流下运作，即使电力被切断也可维持记忆能力，还能在伸缩逾 4000次的情况下，仍能有效运作。

Nist 研究员 Nadine Gergel-Hackett 在一份声明中指出："我们希望能在电子产品被广泛运用的当下，创造一种软性且灵活的内存组件，进一步推动软性电子产品的发展和计量学"。

现在，NIST 的研究小组用一种相当便宜的技术就能制造出忆阻器，他们透过二氧化钛在旋转时"溶胶凝胶法"的液态形式，把它摆放在透明的薄片上，然后让聚合物在室温下变干。研究人员在一份报告中指出，这样制造出来的忆组体能保持非挥发性长达 14 天。

Nadine Gergel-Hackett 更指出："由于忆阻器能够从液体中被制出，未来具有很大的发展潜力，说不定未来忆阻体的制造过程能变得简单又便宜，就像我们目前把它印在透明的幻灯片上的做法一样。"

有关忆阻器的假设其实早在 70 年代就已经被学者提出，但一直到 2008 年才由惠普的研究人员真正证明它的存在。由于忆阻体在没有电流通过下，还能记忆先前通过的电量，民众未来就不必担心计算机因为重新开机而丧失数据。这项技术也进一步提升芯片性能，更能让芯片体积变得更加轻巧，甚至取代现今所使用的动态随机存取存储器 (DRAM)。

NIST 也强调，忆阻器能够为芯片带来更多发展空间，不仅适用各项科技发领域，甚至可用于监测血糖和心跳的医疗用途等。