英特尔发明半导体材料，处理器功耗望降90%

近日，英特尔对外透露该公司旗下实验室的全新研究结果，该项成果可使处理器减低所需功耗，未来的处理器耗电量甚至可以是当今处理器的十分之一，而性能与体积不仅不会停止不前，还会大幅度的前进。而这项研究的对象则被英特尔称之为"P Channel与N-Channel半导体组合协作"课题.

在英特尔最新的研究报告中透露了有关P-ChannelTransistor的资料，这是一种复合半导体，也称为III-V物料，因为它就是硅晶体周期表的列于第四周期表中，据研究指出它拥有极高的效率及极低电阻的物理特征。而英特尔早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor，同样将会使用在处理器制程技术上。

P Channel与N-Channel半导体组合协作技术的晶圆样品 据英特尔指出，当P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor复合应用后，所制造出的CMOS逻辑芯片比传统物料可减低一半的电压，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研发创新技术将会应用于未来一段时间内的处理器量产工作。而该项技术带来的好处则是显而易见的：首先，该技术可将处理器效率进一 步提高;其次，容许更复杂的处理器内核设计及减低了因功耗而出现的散热问题;最后，采用该类处理器的笔记本机身体积还可进一步缩少。 当前，英特尔已开始进行试验上述半导体材料大量生产的可能性，希望可以在未来一至两年内将该项技术应用于实际生产中。