TriQuint亮相IIC 携工艺优势轻松应对射频挑战

----Jo Ann McDonald, CompoundSemi News创始编辑, 2008年5月

创新

TriQuint在砷化镓、氮化镓、声表面波以及体声波技术的开发、改进以及生产方面处于业界领导地位。

砷化镓(GaAs)可以在更高的击穿电压，频率超过250GHz的情况下更有效地工作，并且产生的噪声相对于其它技术更低。

氮化镓(GaN)提供更高的功率处理能力、更高的线性以及可以用更少、更小的器件工作在给定的功率电平，产生的热量更少进而降低了整个系统的体积和器件数量。

声表面波(SAW)在2.5GHz频宽内提供优越的性能并且成本较低。

体声波(BAW)在频率从2.5-6GHz甚至更高的条件下，提供较低的损耗、更强的ESD性能以及对温度效应更大的抵制能力。

多样的技术组合使得我们能够制造出高可靠性、高性能的产品。它同样意味着我们代工的客户可以充分利用我们在研究、开发以及大容量能力方面的优势。我们在150mm和100mm晶圆上提供多种工艺包括MESFET, InGaP HBT, E/D pHEMT, 以及HFET。

我们在一种称之为CuFlip™的封装技术方面处于领先地位。CuFlip是一种利用铜隆起焊盘代替丝焊的低成本电连接设计。这种高度可重复性的工艺相对于丝焊组装需要更少的步骤，从而因为高成品率降低了成本，并获得优越的热性能和电性能。成品也可以更紧凑，使得TriQuint可以设计和生产出一些业界体积最小的功率放大器以及一体化模块。

TriQuint自有的技术组合在整个业界是最具规模的，使得我们可以为客户提供高集成度的模块包括有源和无源射频元器件。由于这些是自有的技术， TriQuint独特的工程团队可以制造出相对于其它方式能更有效地匹配收发器、基带元器件的器件。这在增强性能和整体可靠性的同时降低了系统设计时间，加快了生产过程。我们的经验帮助我们提供更宽泛的分立器件组合以满足各种射频应用的需要。其他任何厂商都无法像TriQuint拥有如此广阔的技术、能力以降低系统的器件数目，提高性能、增加价值。

更多信息，请访问：http://cn.triquint.com/