IBM逼近新型内存 “赛道”内存技术突破存储极限

快行道上的赛道内存

Parkin博士在赛道内存领域取得的突破基于他先前在内存技术方面所取得的成就，包括自旋阀、磁隧道结（MTJ，Magnetic Tunnel Junction）以及在磁性RAM（MRAM）领域取得的突破。

赛道内存体现了金属自旋电子学领域的最新进展。读取数据的自旋阀头可将过去十年中所使用的硬盘驱动器的存储容量提高一千倍；MTJ因拥有更高的电场强度而正在逐渐取代自旋阀。另外，MTJ还是现代MRAM的基础，这项技术使用一个电极的磁矩来存储一个数据位。而MRAM使用一个单独的MTJ元件来存储和读取一个数据位，硬盘驱动器使用一个自旋阀或MTJ传感元件来读取一个现代驱动器中约100GB的数据，而赛道内存则是使用一个传感设备来读取10到100个数据位。

深入理解自旋极化电流与磁矩之间的交互作用十分必要。Parkin博士表示："举例来说，这可能会降低控制或移动畴壁所需的电流密度。这将会进一步减少赛道内存所需的电力，并支持能耗更低的设备。我们希望通过探索多种材料和结构，为电流驱动磁畴壁动力学提供全新洞察，并制造出我们从前难以想象的基于磁畴壁的内存甚至逻辑设备。这不仅会改变我们考虑存储的方法，而且会改变我们对于信息处理的方法。我们正在步入一个更加以数据而非计算为中心的世界。"