SSD勤练基本功 小容量应用已实现
时间:04-02
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长期而言,低价小尺寸NB成长幅度有限,未来可携式PC市场的主流仍为NB,然在SSD价格未达消费者可接受价位的前提下,2008年将是低价小尺寸NB领军SSD发展的一年,因此,其销售情形的好坏,势必影响SSD产业整体发展士气。
随NAND型快闪记忆体(Flash)价格日趋平民化,其在PC端应用情形也备受关注,其中又以固态硬盘(Solid State Drive;SSD)最受各NAND Flash相关大厂青睐,主因看好其所具备的轻薄、省电、抗震与快速读写优势,在PC逐渐走向轻薄、高移动趋势下,业界普遍乐观看待SSD商机。
虽2008年NAND Flash应用仍以手机、MP3、DSC、随身碟为大宗,PC占比有限,然从各相关业者积极发展SSD来看,成长潜力不容小觑,不但2007年下半起,各NB大厂纷纷开始推出内建SSD新品,其它新兴电子产品如UMPC、MID与低价小尺寸NB亦开始有厂商采用SSD。
而于2008年1月在美国拉斯维加斯举办的CES中,展出SSD的国内外大厂亦达10家以上,参与十分热烈,包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)皆展示最新SSD产品,预估2008年仍将为SSD议题持续加温的一年。
NAND Flash于PC端应用 SSD居主流
SSD最早主要应用于军事、航天、精密工业等对资料安全度极度重视,且有能力负担SSD昂贵成本领域;虽2005年三星首度推出消费型SSD产品,然引发NAND Flash相关业者一窝蜂抢进SSD市场的时点,则是2007年微软(Microsoft)推出的新一代作业系统Vista中,新增ReadyBoost与ReadyDrive等支援NAND Flash的技术,方启动NAND Flash的PC应用。
短短1年内,市场上出现各式将NAND Flash应用在PC的解决方案,除一般人熟知的SSD,另包括将NAND Flash模组安装在PC主机板上,或利用如随身碟等外接式记忆体装置,以提升PC读取速度,此外,硬盘厂商亦不能免于这股NAND Flash狂潮,推出由传统机械式硬盘与NAND Flash组成的混合式硬盘(Hybrid Hard Disk Drive;Hybrid HDD)。
虽NAND Flash于PC应用方案多样,然以SSD的发展最积极,不但储存容量每年呈倍数成长,读写速度亦不断提升,投入的业者更是前仆后继,除三星、新帝、英特尔等国际NAND Flash芯片与模组大厂,台湾亦有威刚、创见等业者积极参与,而东芝亦于2007年底宣布将于2008年开始生产与销售SSD。
因受限MLC(Multi Level Cell)型NAND Flash的物理限制,SSD目前仍采用成本较高的SLC (Single Level Cell)型NAND Flash芯片,使得现阶段售价仍较传统硬盘贵约10倍,影响PC业者大规模采用进度,然随着NAND Flash芯片价格日趋平民化,以及MLC型SSD的发展,将有助加速SSD的普及;业界预估,待价格因素随着时间经过逐渐克服,SSD到2010年以后将有机会快速成长。
2008年SSD发展重点更大容量、更快读写与传输速度、更平实价格
综观2008年SSD的发展走向,除容量发展已达128GB,读写速度亦分别提升至每秒可达100MB与80MB以上,较2007年的64GB容量、平均每秒不到70MB与50MB的读写速度成长许多;耗电量亦已能降至1瓦(W)以下,最低仅需0.3瓦。
储存接口亦由传统PATA(Parallel ATA)接口,朝向SATA(Serial ATA)、甚至是更新的SATA II接口发展,资料传输速率也随之提升;传统PATA接口传输速率约每秒1.3Gb,SATA接口约每秒1.5Gb,SATA II接口则最高可达每秒3Gb。
另外,有监于SLC型SSD价格过高,每GB仍在6~7美元,各厂亦开始发展成本较低的MLC型SSD,除三星与东芝皆在CES 2008中发表以MLC型NAND Flash制造的SSD,其它厂商亦表示将会跟进,预计2008年下半,即可看到MLC型SSD正式量产出货,虽现阶段效能较SLC型SSD差,然在成本考虑下,各厂朝MLC型SSD发展已成定局。
SSD效能与稳定度 控制芯片是关键
尽管各NAND Flash相关业者计划于2008年致力发展MLC型SSD,然仍需控制芯片业者配合,才可能加速MLC型SSD的成熟。
主因MLC型NAND Flash芯片,写入次数仅约1万次,较SLC型NAND Flash的10万次少,写入速度亦较差,此为MLC型NAND Flash先天的物理限制,目前仅能靠控制芯片的侦测与演算机制来辅助;另外,多数业者皆表示,现阶段支持MLC型SSD的控制芯片,技术面尚不成熟,因而限制了MLC型SSD的推出速度,不过,控制芯片业者亦充分体认,在价格压力下,MLC型SSD将是未来SSD的主流,因此加速控制芯片对MLC型SSD的支持度,亦是控制芯片业者2008年努力的目标。
此外,目前SSD多采PATA接口,因而其控制芯片仍沿用与CF卡同等级的控制芯片,并透过桥接芯片(Bridge IC)将讯号由PATA接口转换到SATA接口,使整体成本较昂贵,传输速率亦仍受限于PATA的速度;若采用真正SATA接口的SSD控制芯片,传输速率将能进一步提升2倍以上,亦较符合PC采用SSD以提升资料读写速度的诉求。因此,加速MLC型SSD控制芯片的成熟度,亦为控制芯片业者2008年的发展重点。
随NAND型快闪记忆体(Flash)价格日趋平民化,其在PC端应用情形也备受关注,其中又以固态硬盘(Solid State Drive;SSD)最受各NAND Flash相关大厂青睐,主因看好其所具备的轻薄、省电、抗震与快速读写优势,在PC逐渐走向轻薄、高移动趋势下,业界普遍乐观看待SSD商机。
虽2008年NAND Flash应用仍以手机、MP3、DSC、随身碟为大宗,PC占比有限,然从各相关业者积极发展SSD来看,成长潜力不容小觑,不但2007年下半起,各NB大厂纷纷开始推出内建SSD新品,其它新兴电子产品如UMPC、MID与低价小尺寸NB亦开始有厂商采用SSD。
而于2008年1月在美国拉斯维加斯举办的CES中,展出SSD的国内外大厂亦达10家以上,参与十分热烈,包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与英特尔(Intel)皆展示最新SSD产品,预估2008年仍将为SSD议题持续加温的一年。
NAND Flash于PC端应用 SSD居主流
SSD最早主要应用于军事、航天、精密工业等对资料安全度极度重视,且有能力负担SSD昂贵成本领域;虽2005年三星首度推出消费型SSD产品,然引发NAND Flash相关业者一窝蜂抢进SSD市场的时点,则是2007年微软(Microsoft)推出的新一代作业系统Vista中,新增ReadyBoost与ReadyDrive等支援NAND Flash的技术,方启动NAND Flash的PC应用。
短短1年内,市场上出现各式将NAND Flash应用在PC的解决方案,除一般人熟知的SSD,另包括将NAND Flash模组安装在PC主机板上,或利用如随身碟等外接式记忆体装置,以提升PC读取速度,此外,硬盘厂商亦不能免于这股NAND Flash狂潮,推出由传统机械式硬盘与NAND Flash组成的混合式硬盘(Hybrid Hard Disk Drive;Hybrid HDD)。
虽NAND Flash于PC应用方案多样,然以SSD的发展最积极,不但储存容量每年呈倍数成长,读写速度亦不断提升,投入的业者更是前仆后继,除三星、新帝、英特尔等国际NAND Flash芯片与模组大厂,台湾亦有威刚、创见等业者积极参与,而东芝亦于2007年底宣布将于2008年开始生产与销售SSD。
因受限MLC(Multi Level Cell)型NAND Flash的物理限制,SSD目前仍采用成本较高的SLC (Single Level Cell)型NAND Flash芯片,使得现阶段售价仍较传统硬盘贵约10倍,影响PC业者大规模采用进度,然随着NAND Flash芯片价格日趋平民化,以及MLC型SSD的发展,将有助加速SSD的普及;业界预估,待价格因素随着时间经过逐渐克服,SSD到2010年以后将有机会快速成长。
2008年SSD发展重点更大容量、更快读写与传输速度、更平实价格
综观2008年SSD的发展走向,除容量发展已达128GB,读写速度亦分别提升至每秒可达100MB与80MB以上,较2007年的64GB容量、平均每秒不到70MB与50MB的读写速度成长许多;耗电量亦已能降至1瓦(W)以下,最低仅需0.3瓦。
储存接口亦由传统PATA(Parallel ATA)接口,朝向SATA(Serial ATA)、甚至是更新的SATA II接口发展,资料传输速率也随之提升;传统PATA接口传输速率约每秒1.3Gb,SATA接口约每秒1.5Gb,SATA II接口则最高可达每秒3Gb。
另外,有监于SLC型SSD价格过高,每GB仍在6~7美元,各厂亦开始发展成本较低的MLC型SSD,除三星与东芝皆在CES 2008中发表以MLC型NAND Flash制造的SSD,其它厂商亦表示将会跟进,预计2008年下半,即可看到MLC型SSD正式量产出货,虽现阶段效能较SLC型SSD差,然在成本考虑下,各厂朝MLC型SSD发展已成定局。
SSD效能与稳定度 控制芯片是关键
尽管各NAND Flash相关业者计划于2008年致力发展MLC型SSD,然仍需控制芯片业者配合,才可能加速MLC型SSD的成熟。
主因MLC型NAND Flash芯片,写入次数仅约1万次,较SLC型NAND Flash的10万次少,写入速度亦较差,此为MLC型NAND Flash先天的物理限制,目前仅能靠控制芯片的侦测与演算机制来辅助;另外,多数业者皆表示,现阶段支持MLC型SSD的控制芯片,技术面尚不成熟,因而限制了MLC型SSD的推出速度,不过,控制芯片业者亦充分体认,在价格压力下,MLC型SSD将是未来SSD的主流,因此加速控制芯片对MLC型SSD的支持度,亦是控制芯片业者2008年努力的目标。
此外,目前SSD多采PATA接口,因而其控制芯片仍沿用与CF卡同等级的控制芯片,并透过桥接芯片(Bridge IC)将讯号由PATA接口转换到SATA接口,使整体成本较昂贵,传输速率亦仍受限于PATA的速度;若采用真正SATA接口的SSD控制芯片,传输速率将能进一步提升2倍以上,亦较符合PC采用SSD以提升资料读写速度的诉求。因此,加速MLC型SSD控制芯片的成熟度,亦为控制芯片业者2008年的发展重点。
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