PCM可望取代NOR Flash 厂商宜把握市场先机

相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对这一新式内存技术的发展趋势与厂商的专利现况，工研院IEK-ITIS发表最新研究报告指出，台湾已有不少厂商投入该技术的研发，相比于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。

工研院IEK-ITIS分析师陈俊儒表示，相变材料在1970年开始就有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体制程技术，相变材料在2000年以前的商业应用还是以光盘为主；直到2000年之后，相变材料制作的相变内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上都开始有了优异的表现。

其中一家PCM厂商Ovonyx于1999年成立，将其PCM发展策略设定在知识产权(Intellectual Property，IP)商业模式，提供技术以推动PCM进入内存市场。陈俊儒指出，目前Ovonyx拥有的它国专利申请数量全球最多、美国专利数第二(仅次于Micron)，还获得了Intel的投资，以及授权给ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半导体大厂。

投资Ovonyx的厂商Intel也准备推出128Mb PCM样品，并计划在2007年下半年采用90nm技术进行量产。陈俊儒表示，这种称为Alverstone的产品是Intel的首款PCM产品，是与NOR Flash兼容的替代产品。Intel技术官Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目标是让128Mb PCM成为NOR Flash闪存的替代品，而该公司将持续优化PCM的量产制程。

Ovonyx的授权厂商Samsung也将开始供应PCM的评估测试样品，该公司目前向多家大型手机厂商提供的是256Mb和512Mb的90nm产品。为了准备2008年上半年的量产，该公司还计划在2007年第2季和2007年年底，分别开始供应工程样品和商用样品。

陈俊儒表示，Samsung是从2006年下半年开始量产90nm制程NOR Flash，落后于同期开始量产65nm产品的Intel。为此，Samsung希望以替代NOR Flash为目的，尽早创造出PCM被采用的实际业绩，以便在与其它公司的竞争中占据领先地位。

根据ITRS预测，PCM的Cell Size在2011年将小于NOR Flash，未来可望大规模取代NOR Flash市场(营收约72亿美元)，未来市场潜力比FeRAM和MRAM大。陈俊儒表示，目前先进厂商投入PCM的研发较晚，台湾厂商投入PCM研发者，相比于FeRAM与MRAM反而来的多，多属于DRAM挥发性内存厂商。