相变内存赶超FeRAM与MRAM并有望取代闪存！

相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。

工研院IEK-ITIS计划分析师陈俊儒表示，相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体工艺技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主；直到2000年后，相变化材料制作的相变内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现。

其中一家PCM厂商Ovonyx于1999年成立，将其PCM发展策略设定在智财(Intellectual Property，IP)商业模式，提供技术以推动PCM进入内存市场。陈俊儒指出，目前Ovonyx拥有的他国专利申请数量是全球最多，美国专利数第二(仅次于Micron)，还获得Intel的投资，以及授权给ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半导体大厂。

投资Ovonyx的厂商Intel还准备推出128Mb PCM样品，并计划在2007年下半年采用90纳米技术进行量产。陈俊儒表示，这种称为Alverstone的产品是Intel的首款PCM产品，是与NOR Flash兼容的替代产品。Intel技术长Justin Rattner并曾指出，Intel的理想目标是让128Mb PCM成为NOR Flash闪存的替代品，而该公司将持续最佳化PCM的量产工艺。

Ovonyx的授权厂商Samsung也将开始供应PCM的评估测试样品，该公司目前向多家大型手机厂商提供的是256Mb和512Mb的90nm产品。为了准备2008年上半年的量产，该公司还计划在2007年第2季和2007年年底，分别开始供应工程样品和商用样品。

陈俊儒表示，Samsung是从2006年下半年开始量产90nm工艺NOR Flash，落后于同期开始量产65nm产品的Intel。为此，Samsung希望以替代NOR Flash为目的，尽早创造出PCM被采用的实际业绩，以便在与其它公司的竞争中占据领先地位。

根据ITRS预测，PCM的Cell Size于2011年将小于NOR Flash，未来可望大规模取代NOR Flash市场(营收约72亿美元)，未来市场潜力较FeRAM和MRAM大。陈俊儒表示，目前先进厂商投入PCM的研发较晚，台湾地区厂商投入PCM研发者，相较于FeRAM与MRAM反而来的多，多属于DRAM挥发性内存厂商。

因此陈俊儒认为，台湾地区厂商若是未来计划大规模切入非挥发性内存市场，相较于FeRAM与MRAM，投入PCM研发是比较有机会的。