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Avago 为蜂窝市场推出领先的射频和微波产品组合 两个低噪声放大器系列

时间:06-13 来源:mwrf 点击:

首次于 IMS 2011 亮相的新 LNA 系列具有出色的噪声系数和线性,进一步拓宽了基站的高性能解决方案范围

Avago Technologies (Nasdaq: AVGO),是为通信、工业和消费类应用提供模拟接口零组件的领先供应商,今天于 2011 国际微波研讨会上宣布推出两个新的低噪声放大器 (LNA) 系列,它们是蜂窝基础设施应用中射频和微波部件的高性能产品组合的一个扩展。新的 MGA-63xP8 LNA 和 ALM-11x36 自动防故障旁路 LNA 模块系列具有一流的低噪声和高线性,提高了基站收发器 (BTS) 和塔顶放大器 (TMA) 应用中的接收器灵敏度。

MGA-63xP8 设备和 ALM-11x36 模块扩展了 Avago 在 BTS 应用中的市场领先的 LNA 产品组合,它利用公司专有的 0.25μm GaAs 增强模式 pHEMT 工艺实现了低噪声系数和高线性。与宽带化正相反,Avago 提供多个系列的 LNA,每个器件都最优化地适用于特定频率范围的终端应用。两个新的 LNA 系列也同样验证了这个理念。ALM-11x36 模块从整体上反应了产品高度集成的重点,可以替换传统设计中的大量独立表面贴装组件,缩短了设计周期,节省了电路板空间。

“这两个新的 LNA 系列,与 IMS 2011 上展示的其它高性能产品一起,展现了我们对扩展领先 LNA 产品组合以服务于无线基础设施市场而做出的努力,它们也建立了噪声系数和整体性能的新标准,”Avago 的无线产品高级营销总监 James Wilson 说,“我们将与我们的客户一起,继续开发高度集成的解决方案,使设计过程更简单快速,帮助设计师们跟上不断进步的蜂窝标准。”

2011 年 6 月 7-9 日,Avago 将于巴尔的摩会议中心的 IMS 2011 的 1602 号展位展出它用于蜂窝基础设施的完整的射频和微波产品组合。除了 LNA,产品组合中的多种解决方案还包括薄膜腔声波谐振 (FBAR) 滤波器、增益方块、驱动放大器、和 WaferCap 放大器和检测器,以及综合多种技术的模块。另外,Avago 还将现场展示它近期推出的用于手机或便携电脑等 WiMAX 共存应用的 AFEM-S257射频前端模块 (FEM)。

高线性的 MGA-63xP8 LNA 系列集成有源偏置电路和省电功能,无需外接分立部件来执行同类功能,进而简化了设计过程。该系列在 700-2600 MHz 范围内实现一致的高增益性能,其中 MGA-636P8 的操作范围是 450-1500 MHz,而 MGA-637P8 和 MGA-638P8 的操作范围分别是 1500-2500 MHz 和 2500-4000 MHz。因此该系列支持所有主要的蜂窝段,如 GSM、CDMA 和 UMTS,以及新一代 LTE 频段。这些 LNA 都为 2.0 x 2.0 x 0.75 毫米的相同微型封装。这些 LNA 具有相同引脚和外部匹配网络布局,为客户在不同频率中提供相同 PCB 布局,从而简化设计。该系列的性能和特征使它们非常适合被用作第二和第三级 LNA,用于蜂窝 BTS 射频卡、TMA、合并器、中继器和远程/数字射频头中。

ALM-11x36 LNA 模块还具有故障安全防护旁路功能,这对 TMA 应用在没有直流电源的情况下启用 LNA 双向旁路通路来说至关重要。他们优异的旁路隔离性能消除了可能出现的振荡问题,这些模块还具有旁路插入耗损低、输入输出回波损耗高的特点。所有匹配组件已完全集成到模块中,50 ohm RF 输入输出引脚也已在内部进行交流耦合。这就使得这些模块很易于使用,因为其所需要的唯一外部组件便是直流电源旁路电容器。该系列在许多方面都具有最佳新能,ALM-11036 模块可达 776-870 MHz,ALM-11136 模块可达 870-915 MHz,ALM-11236 模块可达 1710-1850 MHz,ALM-11336 模块则可达 1850-1980 MHz。所有模块共用同一个 7.0 x 10.0 x 1.5 毫米的紧凑型封装和引脚配置,因此是通用平台设计的理想选择。

无线通信基础设施产业必须提供最佳的覆盖范围,才能在拥挤的频谱内提供最佳信号质量。接收器灵敏度是 BTS 接收器设计中最关键的要求,而 LNA 选择也对 BTS 接收器的性能有很大的影响。对于配有旁路通路的前端设计架构来说,低噪声系数 (NF) 和旁路插入耗损 (IL) 是极为重要的设计目标。另一个关键的设计因素是线性,它会影响接收器区分排列紧密的有用信号和杂散信号的能力。使用输入三阶截断点 IIP3 来指示线性度。MGA-63xP8 LNA 和 ALM-11x36 LNA 模块具有以下优异性能:

·MGA-636P8 – 0.44dB NF 和 23.7 dBm IIP3(通常为 700 MHz,4.8V 和 108mA)
·MGA-637P8 – 0.52dB NF 和 22.5 dBm IIP3(通常为 1700 MHz,4.8V 和 75mA)
·MGA-638P8 – 0.87dB NF 和 22.6 dBm IIP3(通常为 2500 MHz,4.8V 和 84mA)
·ALM-11036 – 0.78dB NF,0.82dB 旁路 IL 和 21.3 dBm IIP3(通常为 849 MHz,5V 和 92mA)
·ALM-11136 – 0.76dB NF,0.85dB 旁路 IL 和 22.0 dBm IIP3(通常为 915 MHz,5V 和 92mA)
·ALM-11236 – 0.67dB NF,0.75dB 旁路 IL 和 17.3 dBm IIP3(通常为 1785 MHz,5V 和 99mA)
·ALM-11336 – 0.72dB NF,0.78dB 旁路 IL 和 17.9 dBm IIP3(通常为 1980 MHz,5V 和 100mA)

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