微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > MCU和DSP > DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计

DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计

时间:02-24 来源:3721RD 点击:


烧写程序设计和烧写操作中有以下几点需要注意:

①烧写时,一定要先把应用程序目标文件加载到RAM中,再把烧写程序目标文件加载到RAM中,然后运行main函数执行烧写。

②程序中FLASH_ADDRS为自动加载前程序存储的FLASH芯片地址,本文为0X01000000;RAM_ADDRS为加载后程序存储的地址,本文为外部SRAM芯片地址0x00000000.

③进行FLASH芯片操作前需对EMIF进行初始化,程序中my_EmifCog为7个32位二进制数组成的数组,分别配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM这7个控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片,CE2接8位FLASH芯片,分别设置CECTL0为0xFFFF3F23、CECTL1为0xFFFF3F03,其他控制寄存器需要根据应用情况来确定。

④FLASH芯片可整片擦除,也可块擦除,需擦除完成后才能对FLASH芯片进行写操作。FLASH芯片擦除时间较长,需要在擦除子程序后设置断点,等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空间全为0xFF为参考)后,再进行程序烧写操作。

⑤程序中PRO_LEN为用户程序长度,为用户应用程序,。cmd文件设置中断向量、程序等分配的总长度,本文为0xB400.

⑥程序加载到的外部SRAM为32位,FLASH芯片为8位,LENDIAN为高电平。烧写程序从SRAM中读取的程序为32位,32位数据需要按照从低到高的顺序烧写到8位FLASH芯片中。

结语

实际工程应用验证了上述烧写及自动加载方法的可行性。本文所述的加载过程比二次加载节省了DSP系统启动时间,但因加载过程中FLASH芯片读写等待时间为默认设置,用户不能更改,程序加载时间仍达120 ms,在某些看门狗时间较短的应用中需要特别考虑。本文的程序烧写方法还可以推广应用于其他的DSP系统中。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top