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芯科实验室推出业界唯一能工作到0.9V的MCU

时间:10-06 来源:维库电子市场网 点击:
   芯科实验室公司最新推出的Si10xx无线MCU具有25MHz的8051内核、EZRadioPRO sub-GHz RF收发器、最高达64kB的Flash和最高12位的ADC,所有组件集成在5mm×7mm大小的封装内。Si10xx系列产品是业界最高能效的单芯片无线MCU解决方案,常用操作模式下具有最低的电流消耗。无线MCU在工作模式下有最低的电流消耗(160?A/MHz)。

  “Si10xx无线MCU是全球唯一能工作到0.9V、并集成RF无线收发功能的MCU,它还是全球工作功耗最低的MCU,仅有160uA/MHz,这使得基于它的应用无需使用昂贵的锂电池,而改用便宜的碱性电池。”Silicon Labs亚太区MCU业务经理彭志昌表示,“此外,其RF收发器的输出功率高达+20dBm,室外无线工作距离可达3公里,在室内工作时可穿过7-10层楼,如用于无线抄表器,那么将为无线抄表工带来了极大的方便。”

    集成PFC和容性模式保护等功能的半桥谐振控制器

    NXP展出了业界首款将功率因数校正(PFC)、容性模式保护和自适应式死区时间控制等多种功能集成于一体的绿色芯片TEA1713半桥谐振控制器。TEA1713可以构筑性价比极高的电源解决方案,帮助设计人员打造出效率和可靠性俱佳的谐振电源,其典型应用包括90W以上的液晶电视电源、等离子电视电源、个人电脑电源和超薄型电源适配器,以及优质工业及医疗用电源等。

    采用绿色芯片TEA1713构成的半桥谐振转换器符合能源之星的要求,在高功率应用场合,其能效高达90%以上,而功耗仅相当于普通反激转换器的一半。除此以外,该芯片提供强大的保护功能,包括谐振转换器的容性模式保护、高频保护和自适应式死区时间控制等,从而使绿色芯片的性能发挥到最佳。

    效率高达92%并符合DrMOS规定的MOSFET模块

  Vishay展出了最新的集成的DrMOS解决方案SiC762CD,在紧凑的PowerPAK MLP 6x6的40脚封装内,该器件集成了对PWM信号优化的高边和低边N沟道MOSFET、完整功能的MOSFET驱动IC,以及阴极输出二极管。该器件完全符合DrMOS规定的服务器、PC、图形卡、工作站、游戏机和其他高功率CPU系统中电压调节器(VR)标准。该器件的工作频率超过1MHz,效率高达92%。

    通过集成驱动IC和功率MOSFET,SiC762CD减少了功率损耗和与高频分立功率级相关的寄生阻抗效应。设计者可以采用高频开关以改善瞬态响应,节省输出滤波器的成本,在多相Vcore应用中实现尽可能高的效率密度。

    SiC762CD今年第一季度实现了量产,大宗订货的供货周期为十二周至十六周。

    效率高达95%的5×5mm 10A降压稳压器

    Micrel展出了业界功率密度最高的10A降压稳压器MIC22950,该同步降压稳压器以10A集成SuperThermal MOSFET为特色,可在一个宽负载范围内实现超过95%的效率。它的外围仅需配一个1uH电感器和一个100uF输出电容器,采用MLF封装,尺寸只有5×5mm。

    Micrel亚太区总监John Lee说:“MIC22950是目前市场上功率密度最高的降压稳压器,它在1A到10A的负载范围内都能保持95%的效率,这是别家所做不到的。”

    Micrel中国区总经理张洪为补充道:“我们采用了高达2MHz的开关频率,这是别人所做不到的。其次,MIC22950的所有管脚都是散热片,不再需要专用散热片。这是目前我们的两大专有技术。”

    功率因数大于0.95的TRIAC调光LED驱动器

    安森美最近推出针对住宅及商业照明应用的新的功率因数校正(PFC)可调光LED驱动器NCL30000。它提供大于0.95的高功率因数,因而可省却DC-DC转换段。典型应用包括LED驱动器电源、LED嵌灯、三端双向可控硅开关组件(TRIAC)可调光LED灯及功率因数校正恒压电源。这器件与前沿TRIAC调光器和尾沿晶体管调光器兼容。视乎所使用的调光器,LED输出可调低至2%。

    公司提供3款功率达15瓦(W)的参考设计,旨在以350毫安(mA)电流驱动4到15颗LED。它们也能轻易调整以配合5 W到30 W的功率电平。

    安森美电源及便携产品全球销售及营销高级总监郑兆雄说:“我们的客户需要可兼容配线及控制的可调光LED驱动器方案。NCL30000提供优异的调旋光性能,可调光低至2%。这器件非常适合隔离型反激应用,但也能用于非隔离型降压拓扑结构。”

    IR率先推出行业首批商用氮化镓集成功率级器件

    国际整流器公司(IR)推出了行业首个商用集成功率级产品系列,它们采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点(POL)应用设计的,包括服务器、路由器、交换机,以及通用POL DC-DC转换器。

    iP2010和iP2011集成了非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC,并匹配一个多开关单片氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上,可带来比最先进的硅集成功率级器件更高的效率和超出双倍的开关频率。

    IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“我们为DC-DC应用推出的这个氮化镓功率器件系列预示着一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案的全新时代,更重申了IR在创新电源管理设计方面的领先地位。”

    他补充道,iP201x系列高达5MHz的开关能力有助于设计师显着减少输出电容和电感值及尺寸,有助实现空间紧张的设计。这些器件还能够使要求最高效率的应用设定在较低的开关频率下运行。

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