SPI串行Flash在数据存储系统中的应用
1 概述
在目前所有的非易失性存储器(PROM、EPROM、EEPROM和Flash)中,唯有Flash存储器几乎拥有现今讲究个性化的用户所需的所有特点,它具有掉电数据不丢失、快速数据存取速度、电可擦除、容量大、在线可编程、价格低廉以及足够多的擦除、容量大、在线可编程、价格低廉以及足够多的擦写次数(一百万次)和较高的可靠性等诸多优点,因而已为新一代嵌入式应用(如数字相机和MP3播放机)的首选存储器。现在FLASH的成本已低于PROM/EPROM,可以肯定,它将很快占邻PROM/EPROM市场,MASK(掩膜)ROM尽管在大指生产时具备一定的价格优势,但其升级不便的弱点将随着今后FLASH成本的进一步降低,而使得MASK ROM的前景并不乐观。
ATMEL生产的Flash AT45系列中的AT45D041为单5V供电的SPI接口器件,其封装形式有PLCC、TSOP和SOIC三种,图1给出了该器件采用SOIC封装形式的管脚排列和说明。
AT45D041的内部结构如图2所示。该器件有2048页(每页264字节)内存(Flash Memory,也叫主存Main Memory)和两具Buffer(每个Buffer为264字节的SRAM)组成。数据可以直接写入闪存,也可以选写入Buffer,然后再将Buffer的数据整个复制到闪存的某一天,也可以在闪存正处于编程时(页编程时间典型值7ms)将数据写入Buffer。
以下是该器件的一些特点:
●一页主存传送到Buffer的典型时间为80μs;
●有效电流的典型值为15mA,空闲电流为20μA;
●最大时钟频率为10MHz;
●具有硬件擦、写保护功能,当WP脚为低时,前256页钭禁止编程。
●输入输出与CMOS和TTL电平兼容;
●具有商业和工业两种温度范围;
●可单周期重编程(包括擦除和编程);
●带有串行接口,读写操作时地址会自动增1;
●复位时将终止正在进行的操作,当复位管脚恢复高电平时,操作也可以恢复;
●传送数据时,高位(MSB)在前。
2 操作命令介绍
对AT45D041的操作一共有18条命令,表1所列为AT45D041的操作命令集。其中:
表1 AT45D041的操作命令集
表1 AT45D041的操作命令集
读主存 | 52H | rrr | PA10~PA0 | BA8~BA0 | 32个× |
读Buffer1 | 54H | ×××× | 11个× | BFA8~BFA0 | 8个× |
读Buffer2 | 56H | ×××× | 11个× | BFA8~BFA0 | 8个× |
主存传送到Buffer1 | 53H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
主存传送到Buffer2 | 55H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
主存与Buffer1比较 | 60H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
主存与Buffer2比较 | 61H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
写Buffer1 | 84H | ×××× | 11个× | BFA8~BFA0 | |
写Buffer2 | 87H | ×××× | 11个× | BFA8~BFA0 | |
带擦除的Buffer1传送到存 | 83H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
带擦除的Buffer2传送到主存 | 86H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
不带擦除的Buffer1传送到主存 | 88H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
不带擦除的Buffer2传送到主存 | 89H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
Buffer1为缓冲对主存编程 | 82H | rrrr | PA10~PA0 | BA8~BA0 | |
Buffer2为缓冲对主存编程 | 85H | rrrr | PA10~PA0 | BA8~BA0 | |
Buffer1为缓冲自动重编程 | 28H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× | |
Buffer2为缓冲自动重编程 | 59H | rrrr | PA10~PA0 | 9个× |
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