AB类功率放大器驱动电路的研究与设计

给定VDD为3 V，Vin为直流偏置2 V，振幅1 V，频率1 GHz的正弦波，选定C为15 pF，R为10 Ω，L1为0.065 nH，L2为2 nH，M1为宽0.6μm，长0.18 μm的NMOS。HSpice仿真得出1 ns内的工作时间为0.75 ns，实现了AB类功放驱动电路的设计目标，每周期的工作时间多于半个周期。