F1aSh存储器在TMS320C3X系统中的应用

2 在TMS320C3x中的应用

TMS320C3x支持32位或16位宽度的程序外部存储器。由于Am29F040的数据宽度是8位，而从RAM单元中取出的数据宽度为32位，所以还要采用移位的方法写入Am29F040。 引导表的格式主要由下面几部分组成：首先，是包括引导表数据宽度和其它数据总线寄存器值的头文件。接着，是COFF文件中各个段的数据，其中每个段都包含一个该段的文件头来说明该段的代码长度和地址。最后是结束段。 这里，采用COFF格式生成引导表比较麻烦。TI公司提供了一个很有用的转换工具HEX30，只须编写一个命令文件，就可使用这个转化工具自动生成引导表。F1ash存储器烧写流程如图2所示。


采用TI公司的TMS320C32的DSP，AMD公司生产的8位Am29F040作为Flash存储器，这里使用了4片Am29F040。编写时必须注意： ①目标字宽度，也就是处理器的操作码长度。选好DSP后，该长度也就确定了。按照我们的例子为32位。 ②数据宽度。由-datawidth 设定，为32位。 ③存储器宽度。由-Memwidth 设定，本例中为32位。 ④ROM宽度。由-romwidth设定，为8位，由Flash存储器确定。 程序如下： C3XCHECK.OUT -MAP 29f040.MAP -i /*输出文件为Intel格式*／ -datawidth 32 -Memwidth 32 -romwidth 8 ROMS{FLASHROM：org=000000h,len=80000h，romwidth=8, ／*512K X 8*／files={f040.bo f040.b1 f040.b2 f040.b3}}SECTIONS{ .text :paddr=00000040h .ffttxt :paddr=000008dlh .data :paddr=0000000h .sintab :paddr=000009eeh .paras :paddr=00000a2eh} 命令文件按照上述编写，生成了4个文件，分别为f040.b0、f040.bl、f040.b2及f040.b3，然后可以直接用编程器烧写至4片Am29F040即可。 利用上面的方法已经可以完成工作，但是我们还可以利用TMS320C32的boot loader(上电加载)功能直接调入到存储器中。 D S P芯片复位以后，将自动地运行固化0H~0FFH空间内的引导装载程序，执行引导程序装 载功能。进入引导装载程序以后，DSP将一直等待中断INT0-INT3的中断状态，根据不同的中断，决定是以BOOTl-BOOT3的存储空间装载程序到指定的快速闪存，还是以从串口将程序引导装载到指定的快速闪存。TI公司的引导装载程序是公开的(如果需要，可由其网站下载得到)。实现引导装载功能时，需要自己设计程序头，其中必须描述： ① 待装载程序的存储器宽度为8位／16位／32位； ②S W W 等待状态发生器的方式； ③装载到快速R A M 的程序大小； ④装载的目的地址。 如果在实际系统中目的地址不止一个，其操作 过程也是一样的。当一个模块装载完毕以后，如果还有一个另外的模块，那么它将继续执行。与上面的方法一样，在程序头加上必要的信息就可以了。 如将引导表作为程序的一个初始化段，在运行程序的时候将该段的内容也直接写到F1ash存储器里面。具体来说，首先编写一段C语言程序，将上面由HEX30生成的文件转化为.dat数据文件 (使得DSP可以识别，DSP不能识别.bO文件)。然后，在编程程序中建一个段，其中包含这个数据文件。最后，在直接运行程序时，将其中的内容烧写到存储器里面。采用这种方法，比采用EPROM编程器编程速度更快，而且省时省力，需要修改时不用取出 F1ash存储器，可以在线编程修改。

3 结 论

通过实际的电路仿真测试，证明这种设计思想简单、程序语法正确，数据传输效率高，充分利用了TMS320C32编程语言特点。这种方法能够实现F1ash存储器在系统编程和在DSP系统上电后的用户程序的自动引导。同时，由对Flash存储器Am29F040应用的讨论可知，其不仅可以利用编程器编程，而且可以通过TMS320C32在线进行擦除、读写及编程。

参考文献

1 Texas Instruments.TMS320C3x User’s Guide.1997 2 Texas Instruments.TMS320C3x／C4x AssemblyLanguage Tools User’s Guide.1998 3 AMD.Am29F040 使用手册．1996-11(收修改稿日期：2002-ll-27)