安捷伦B2900A在半导体激光器测试中的应用
时间:08-15
来源:mwrf
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及速度等。这使得不同测设条件间参数调整方便快捷。其次,B2900A精密源测量单元的电流测量精度可以达到0.1nA。在高阻半绝缘结构(107~8Ω)测量时,在较小的驱动电压(<1V)下就可以精确的测量出高阻结构的电阻值。同时,激光器的功率与电压电流同步测量,无需外部协同触发。扫描测量时,8 秒内可以完成大于 400 点的测量。 图表 4 PIV系统参数设置图 图表 5 PIV系统绘图窗口 集成PIV系统的可扩充性也是其在半导体激光器研发领域应用中的突出的优点。集成PIV系统的硬件部分,包括B2900A精密测量单元,测量平台,由GPIB或USB等端口与计算机连接。因此,集成PIV系统硬件部分可以配合用户通过 National Instrument 等软件平台编写的测试软件程序,完成用户需要的,更为复杂的测量任务。 在半导体激光器的生产和研发过程中,要对半导体激光器芯片进行大量的PIV测试。相比传统的分立复杂的PIV测试系统,B2900A精密测量单元集成的PIV测试系统具有系统结构简单,操作方便,精度高,可靠性强,测量迅速等优势,大大降低了激光器芯片PIV性能测量的操作成本,时间成本,同时增加了PIV测量的灵活性。B2900A精密测量单元将会在半导体激光器生产和科研等领域得到广泛的应用。