求教:为什么这两个电路经常烧MOS管
时间:10-02
整理:3721RD
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这两款板子经常烧mos管,制程调查没有发现异常,静电防护措施也做得到位,会不会是电路设计上存在缺陷?
Mos损坏主要原因:
过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电;
Mos损坏主要原因:
过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电;
既然知道损坏原因,可以添加对应电路进行补偿和保护。
列老师,就是这个电路,描述:此为808nm激光发射器电源板,功耗70mA,DC12V电源由DB107引入,经两组7805稳压成5V送至激光发射头,现在不明白的是NE555第4脚还输出一啥信号的功用N呢,谢谢!
喔,不好意思,笔误,是第3脚!
就是分别送至这两个激光发射头!
列老师你好,目前只知道3个主要发生不良的方向,但没能锁定是怎么导致的。现在最需要的是确认这个电路设计是否是合理的。
这是一个过流保护电路,跟锂电池的保护电路是一样的。首先看看MOS管的过电流参数是不是能达到要求,其次看看MOS管的耐压和电源的纹波电压是不是很高,瞬间可能击穿管。至于静电,理论上是会打坏MOS,实际上MOS并没有那么容易被打坏。