大神们《晶体管电路设计下》第三章的电路用Multisim 12仿真出现问题，求教怎么解决

得不到3倍的放大电压

电路没有问题，只是这个电路为小信号放大，带载能力弱，所以加上R5后，放大倍数就变小了。发达倍数和管子没有太大关系！

你使用是N沟道JFET，要实现电压放大，VGS反偏，即添加负电压

有R1在，v2输入0.5mv还起作用吗?

就算V2输入改为0.5V，1V都没效果…………

哦，但VG的电压是1.765V，VS的电压是1.961V，VGS=-0.196V，已经反偏了，把V1改为-15V也不行

哦，但VG的电压是1.765V，VS的电压是1.961V，VGS=-0.196V，已经反偏了，把V1改为-15V也不行

因为场效应管是电压控制，你用R1提供偏置电压，场管怎么会受输入控制呢?有R1和R2分压钳制了场管控制级，怎么会起作用?场管不是三极管！

很好好啊好好啊好好啊好好

在库里选的管子可能是缺参数无效的，选其他型号管子应该可以

不要误人子弟了

不要动不动就误人子弟的，我的观点不对，你可以说出你的观点，我愿意学习！啥叫误人子弟?你是我的学生吗?我收你的学费了吗?

关于R1，场馆和晶体管应用是否有区别? 只做探讨，不同观点请另行发表勿喷！