TI的芯片封装VSON,焊接和PCB设计有什么需要注意的地方吗?我先说一下我的感觉啊。
时间:10-02
整理:3721RD
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如图就酱紫的封装,设计的时候应该要考虑散热和焊接可靠性,我想在封装的管脚地方打通孔和把焊盘画的大一点,一来增大焊锡的面积加速散热,二来焊接的时候比较容易。我以前用的都是SO之类的封装,设计起来很容易,现在越来越多的这种小封装的,性能很符合使用,就是害怕自己设计不好,请问有没有大神用过的,给点建议啊
这两个MOS管 50mR的导通电阻,并参考DCDC效率图,因为是3V输入 4.5V输出,如果2A输出,效率会跌倒90%以下。此时功耗会很大。我觉得已经余量不足,这款芯片,正常工作建议放在1A左右,损耗功率大概在200mW左右。是没有问题的,但是满负荷2A运行,效率下降,热耗上升很严重。甚至达1W损耗(3V-4.5V 88%效率)
下图是TI 网页工具,算散热的。
http://www.ti.com/adc/docs/midlevel.tsp?contentId=76735&DCMP=hpa_design_center&HQS=Tools+OT+pcbthermalcalc
因为工具还没有更新TPS61230,智能用同封装,热性能近似的元件替代。
如果PCB面积合适,常温工作可控60度,但是做50度高温运行实验,可能就比较热,但还是在芯片承受范围内。
VSON
饭前顶顶贴
我是准备用这个TPS61230来把锂电池的3V到4.3V 的电压升成4.5V,给GSM模块用的,希望能设计的好一点,电流可以达到2A左右,有用过这个芯片的也欢迎指导
按照 规格书 推荐封装做即可,这个元件本身发热不是很大,地焊盘确保连接即可。
体积是3mm*3mm,电流达到2A,发热应该很厉害才对吧,
没注意到这款是集成Pmos和Nmos的,不过从规格书资料来看,热量发热还真不乐观
这两个MOS管 50mR的导通电阻,并参考DCDC效率图,因为是3V输入 4.5V输出,如果2A输出,效率会跌倒90%以下。此时功耗会很大。我觉得已经余量不足,这款芯片,正常工作建议放在1A左右,损耗功率大概在200mW左右。是没有问题的,但是满负荷2A运行,效率下降,热耗上升很严重。甚至达1W损耗(3V-4.5V 88%效率)
下图是TI 网页工具,算散热的。
http://www.ti.com/adc/docs/midlevel.tsp?contentId=76735&DCMP=hpa_design_center&HQS=Tools+OT+pcbthermalcalc
因为工具还没有更新TPS61230,智能用同封装,热性能近似的元件替代。
如果PCB面积合适,常温工作可控60度,但是做50度高温运行实验,可能就比较热,但还是在芯片承受范围内。
建议控制,输入电压下限3.55V,电池放电曲线,后面电池电容量也比较低了,还会影响效率。底部放焊盘小通孔。
我们以前的做法,正常工作模式,你手放在芯片上能坚持10s没被烫到移开,就没有问题。
很好 不错的东西