微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > 硬件电路设计讨论 > 基于运放的电压衰减器电路参数分析?

基于运放的电压衰减器电路参数分析?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:




这是一个电压衰减器的电路图,衰减倍数为100,我有几个问题:
1、技术文档中写R1和C1是一个高通滤波器,要保证10HZ时衰减得很少。不明白这个怎么是高通滤波器,看不明白?如果我要改成低通滤波器,是不是就是将电阻和电容换一下位子。
2、文档中写道:“在 这个设计中,已确定一个8.2ohm串联电阻可完全补偿高达100nF的电容负载,因此,将被用于这个设计中的R4值。”8.2是怎么确定的?这个电阻怎么补偿100nF的电容呢?是怎么算出来的?
各位大神,求解这两个地方?

首先R1电阻是作为这个运放的输入阻抗来看的所以是形成了CR的高通,你应该还记得在运放反相输入中的输入阻抗是多少对吧?第二个问题我也不明白,不过我估计跟你的这个电路设计时候的截止频率有关吧,你的衰减器要处理的信号范围是什么?

为什么是输入阻抗,就可以看成是CR高通滤波器了呢?
文档上写的频率范围是10Hz-100Hz
电压范围10mVpp-50Vpp

别以为高通就是频率高才能通过,你要记住频率高与低都是相对的

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top