微波EDA网，见证研发工程师的成长！

首页 > 研发问答 > 硬件电路设计 > 硬件电路设计讨论 > 硬件设计

硬件设计

时间：10-02 整理：3721RD 点击：

增强型 N mos 的gate极的驱动电阻值的大小对mos 的影响大吗?应用电路是burst电路,gate 极由单片机控制，对EMI 影响大吗?增加mos 的工作频率，会使mos 从dcm 变成ccm吗?

上一篇：请教高手PMOS管的隔离作用
下一篇：麦克风的前置放大，声音还是很小

mos 相关文章：

栏目分类

热门文章

Copyright © 2017-2020 微波EDA网版权所有

Top