VCO电路与分析

二个可变电容器以变容二极体取代之，变容二极体１ＳＶ１００（东芝）系ＡＭ调谐用之元件，容量变化范围由２０ＰＦ～４００ＰＦ，因此，容量的变化比为Ｃmax／Ｃmin＝２０，振荡频率的变化范围就可以制作得很宽广，但是变容二极体是半导体元件，所以在特性上会有些误差，故在使用之前要别特性相似之变容二极体。至於线圈则使用１０Ｋ<br/>型之线圈基座，在一次侧绕６圈，二次侧绕二圈，在共振电路上接阻尼（Damping）电阻是要使振荡<br/>频率变化时，输出电平的变化不要太大。此电路之变容二极体上的控制电压在０～１２Ｖ间变化时，振荡频率大约在１０ＭＨｚ～７０ＭＨｚ间变化，但是加於变容二极体上的控制电压降低时，振荡电平就会急骤的下降，因此，实用振荡范围在２０～７０ＭＨｚ左右。当ＯＵＴ端子接上４７０Ω之电阻时，於４０ＭＨｚ，振荡频率的电平大约有３００ｍＶ，电平的变动於２０～７０ＭＨｚ之间都在－６ｄＢ之范围内。
图２３－２是ＦＭ调谐器（Tuner）的本地振荡电路，此电路系柯尔必兹电路的变形电路，称为克拉普（ Clapp）电路，至於改变频率的元件则使用背向变容二极体（ PairDiode Varicap）１ＳＶ５５，系以直流电压控制容量。由於１ＳＶ５５之内部有两个特性相近的变容二极体背向接在一起，因此，即使於Ｑ值高的电路有足以使二极体导通的大振幅信号加於其上，因为任何一个二极体都是逆向的，所以并不会导通，振荡电路就不会有异常动作的顾虑。１ＳＶ５５之端子间容量变化由４０ＰＦ（ＶR ＝３Ｖ）至２.５ＰＦ（ＶR＝３０Ｖ），当０～９Ｖ的控制电压加於此电路上时，振荡频率的范围在６０～９０ＭＨｚ。

受教育了！

水平有限·看不太懂

图呢

学习了，高频的以前也玩过

xx谢谢