MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？

     MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧?具体的关系是什么?有没有具体计算开关损耗的公式?