电容电阻

1、电阻电容的封装与元件的规格有关，简而言之，对于电阻，封装与阻值（容值）和功率有关，功率越大，封装尺寸越大；对于电容，封装与容值和耐压有关，容值和耐压越高，封装尺寸越大。经验之谈，0603 封装的电容，容值最大为 225（2.2μF），10μF 的电容，应该没有 0805 的封装，而 3216，3528 的封装与耐压和材料有关，建议你根据具体元件参考相应的 Datasheet。
2、在芯片的引脚连线之间串入电阻，多见于信号传输上，电阻的作用是防止串扰，提高传输成功率，有时也用来作为防止浪涌电流。电阻值一般较小，低于 100 欧姆。
3、藕合电容应尽可能靠近电源引脚。耦合电容在电源和地之间的有两个作用：一方面是蓄能电容，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波，故又称为去藕。另一方面旁路掉该器件的高频噪声，故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在 7MHz 左右，也就是说，对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。0.1μF、10μF 的电容并联使用，共振频率在 20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些，较好的兼顾了去藕和旁路。经验上，每 10 片左右 IC 要加一片 1 个耦合电容，可选 1μF 左右。最好不用铝电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用，可按 C="1"/F， 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。
4、泛泛地讲，5V TTL 器件和 5V CMOS 器件统称为 5V 器件，可以讲该器件电源接上 5V，其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5V CMOS。但 TTL 和 CMOS 器件由于材料的不同，导致其驱动能力、功耗、上升时间、开关速度等参数迥异，分别适用不同的场合。

1、电阻电容的封装与元件的规格有关，简而言之，对于电阻，封装与阻值（容值）和功率有关，功率越大，封装尺寸越大；对于电容，封装与容值和耐压有关，容值和耐压越高，封装尺寸越大。经验之谈，0603 封装的电容，容值最大为 225（2.2μF），10μF 的电容，应该没有 0805 的封装，而 3216，3528 的封装与耐压和材料有关，建议你根据具体元件参考相应的 Datasheet。
2、在芯片的引脚连线之间串入电阻，多见于信号传输上，电阻的作用是防止串扰，提高传输成功率，有时也用来作为防止浪涌电流。电阻值一般较小，低于 100 欧姆。
3、藕合电容应尽可能靠近电源引脚。耦合电容在电源和地之间的有两个作用：一方面是蓄能电容，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波，故又称为去藕。另一方面旁路掉该器件的高频噪声，故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在 7MHz 左右，也就是说，对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。0.1μF、10μF 的电容并联使用，共振频率在 20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些，较好的兼顾了去藕和旁路。经验上，每 10 片左右 IC 要加一片 1 个耦合电容，可选 1μF 左右。最好不用铝电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用，可按 C="1"/F， 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。
4、泛泛地讲，5V TTL 器件和 5V CMOS 器件统称为 5V 器件，可以讲该器件电源接上 5V，其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5V CMOS。但 TTL 和 CMOS 器件由于材料的不同，导致其驱动能力、功耗、上升时间、开关速度等参数迥异，分别适用不同的场合。

根据功率及耐压值而定，不行可以参考别人的类似电路，