华邦flash芯片W25Q64VSIG如何进入低功耗

大家好：
      最近研究一个项目，其中用到falsh的芯片，采用到的是华邦的W25Q64，程序是都已经成功了，然后开始调试低功耗的时候，在flash这边纠结，通过命令0xB9的命令让W25Q64进入power down模式，可是测试到的电流是1.33mA的大小，与手册上标注的1uA相差甚大，大家有没有遇到过这个问题?请大家帮忙出一下思路。
对了，电路相对简单，
CS/CLK/DI/DO用于SPI通讯，WP和HOLP线接VCC。
请问电路在低功耗下可以这样接吗?如果可以，程序上如何修正，让芯片进入测底的低功耗。

自己解决了

我也在弄W25Q64低功耗，请问您是怎么解决的

你好，我的用的falsh型号是：W25Q64JVSSIG
但是最主要是电路要正确：
当焊接W25Q64JVSSIG芯片后，执行flash的powerdown程序，并且将CS脚通过10K电阻接到VCC，测试到的待机电流是：
运行状态：power+stm32 = 4.62mA
待机状态：power+stm32 = 11.7uA
电流终于降下来了，但是刚好是5毫安以内。