+flash的读写

要对flash的读写操作，必须了解flash结构。

STM32F411是512Kbytes的flash，我这里使用第6扇区来对flash的读写操作。利用flash读写特性，可以使用某扇区来实现用户数据的保存。

首先初始化flash，初始化，主要就是解锁。

接下来是实现写flash函数，flash的写入，必须先进行擦擦操作，不然写入的数据将出现错误。

第一个参数是写入的地址，第二参数是待写入数据缓冲器，第三个是要写入的数据长度。

先擦除在进行写入数据。

HAL_FLASHEx_Erase是擦除函数。

HAL_FLASH_Program是写入函数。

接下来实现读取函数，flash的读取操作就简单很多，直接对地址操作。

第一个参数是读地址，第二参数是读取数据缓冲器，第三个是读取的数据长度。

读写完成之后，我们来验证一下结果。使用定时器周期性的读写，先写数据，然后再读取数据，通过读取数据与写入的数据比较，如果相同，LED灯周期性变化。

编译下载，运行，验证了读写flash是正确的。