载波抑制问题,牛人请入
时间:10-02
整理:3721RD
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各位大侠:
好,想了解下载波抑制的情况,据知,我们载波调制功率过大会对本振信号产生影响,进而使EVM变差,但是具体是怎样来抑制的?我们手机校准是通过什么方式校准的呢?同时谁能回答下,为什么只要对DCS,PCS进行载波抑制校准,GSM900/850就不需要?请各位达人告知~
好,想了解下载波抑制的情况,据知,我们载波调制功率过大会对本振信号产生影响,进而使EVM变差,但是具体是怎样来抑制的?我们手机校准是通过什么方式校准的呢?同时谁能回答下,为什么只要对DCS,PCS进行载波抑制校准,GSM900/850就不需要?请各位达人告知~
自己顶下
零中频用算法校正(本振泄漏和有用信号重合,无法使用RF filter),复中频可以使用RF滤波器抑制,你仔细比较下发射机架构是不是不一样
我也想知道为什么,哪位高手能解释一下
为什么啊?
我也向知道啊
没做过手机,在TD的基站里面可以用LO_nulling减小LO对output的影响
做基带的表示看不懂
路过学习一下
指的是手机上行吧,通常会有发射反馈通道,检测本振泄露情况,然后调整IQ两路的直流偏置来降低本振泄露功率(零中频下,本振泄露受IQ泄露影响很严重)。至于为啥900/850不用校准,也不是很清楚,难道是因为带宽较窄?期望高手解答
我看看看
