LDO有负载电容和无无负载电容？

一般LDO要用负载电容的ESR零点补偿，才能稳定。
但如果设计的牛X ，可以不用负载电容就可以稳定，但加适当ESR的负载电容，LDO会更稳定。

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以我的设计经验也是这样，
大电容负载需要ESR电阻，
请问ESR电阻一般多大?

ESR多大，要根据你的环路设计来做，大了不行，小了也不行。（ESR主要用来做补偿）
当然现在很多设计输出都采用陶瓷电容，ESR很小，不需要用ESR来补偿环路。

一般的X7R的陶瓷电容1uf 的ESR大概几mO到几十mO
1uf 钽电容 大概几十到一两百mO左右
4.7uf电解质大概在欧姆级别

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谢谢

要是有理想的工艺就好了，即可以有想要多少F的电容，同时又可以得到想要的多少欧姆电阻。

稳定性只是一个基本方面，有的LDO不需要也可以稳定
最重要的是瞬态响应，在负载瞬间变化很大时，LDO的响应速度有限，这就要要输出电容提高负载瞬间变化所需的电流，如果没有电容或者电容小或esr比较大，LDO的输出电压会被拉低或抬高很多！

楼上说的很对！受用了！

最重要的是瞬态响应

确实，有off-chip和chipless两种ldo都可以稳定啊，主要是off-chip的瞬态特性好，过冲小

ding study

8楼的说法正确

无负载电容LDO就是 capfree or capless LDO，一般用于SOC设计，或者少量的单片设计。优点就是很少或没有外围器件，缺点时补偿和瞬态响应超级难做。
有负载电容LDO就是我们现在常用的LDO，优缺点和上面相反。
capless LDO是发展的方向，最近有大量的文章来论述，任重而道远。

Laerning so much at this topic ,TKS ！

ＬＤＯ可以带负载电容，也可以不带。我设计过一个，CAP LESS 可以稳定工作，带10uF电容或更大也可以。但带100nF的电容，相位裕度就不够了。计算了零极点，也没有很好的办法解决。

有off-chip和chipless两种ldo都可以稳定