关于过驱动电压的疑问
书上也是这么说的，我也觉得很有道理。
但是最近看了一些电路，是linear的，
它们的一些电流镜的过驱动电压很小，
几十mV的很普遍，
而且根本不用倒比管，
对于这个现象很纳闷
怎么知道LINEAR的过驱动电压很小?
------------
这个你就不要问了
反正至少有几款芯片是这样
绝对真实
工作在sub-threshold区域，用较小的功耗获得较大的gm
好像有道理
------------------------------
一般的电流镜的MOS 管 gm 小点好
应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?
---------------------
和那没有关系
如果芯片的静态电流小于10uA，基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小，随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够，除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰这块。
--------------------------
即使不增加电流，也完全可以将vdsat做的更大，
但是它就不这样做
比如说一支路的电流为700nA，
电流镜管子是5/2 *2，
为什么不作成4/5呢
10# confiope
我想我可能不大理解你的情况。提到Vdsat是做什么用?
Vdsat就是过驱动电压
就是Vgs-Vth
低功耗设计的要求吧?
不过低功耗设计，频率响应就成问题了，特别是带负载以后
过驱动电压我都叫Vod诶，不过不要紧。
那我们从正向设计来考虑，设计的要求是低功耗，静态电流必须要低，要么减少过驱动，要么减少宽长比。本来静态上分析说，过驱动不减少，使用倒比管也是可以，但是L很大的时候，栅电容也会大，充放电的时间就会相对较慢，工作速度被限制住了。另一方面，在相同版图面积的情况下，减少过驱动电压使得工作在亚阈值区，又可以获得更大的Gm，一举两得。那为什么许多公司不这样做，还是工艺的问题。如果偏出了亚阈区，岂不是弄巧成拙。那linear在这方面的研究上个世纪就开始了，也推出了N多的系列。基本上所有的低功耗LTC-OP，都是在亚阈区工作的。
只是普通的电流镜，
并不需要多大的gm，
可能是它们的工艺过硬，
Vth的失调可以控制到很好的范围吧
vdsat过大输出范围会受到一定的影响的
电流镜线性了。可能是为了满足低电压的，对电流镜的匹配无关紧要。
减小电流，减小gm，减小宽长比，这就是低功耗。我得多学呢
你怎么就能知道他工艺的u和cox参数呢?工艺再牛逼，随机现象也是不能避免的，我更多是怀疑你把工艺参数搞错了。
Vsat。
看大文件时比较好