请问在gm/id设计方法中，怎么得到gm/id与λ的关系曲线呢

这个问题我倾向于使用中间量Vov考虑。
gm/Id 在weak inversion的时候保持不变，之后随着Vov的增加，gm/Id降低。临界点在0.18工艺下大约为-100mV。
lamda的话可以由和rds成反比。当Vov增加，到strong inversion的时候。channel length modulation 和DIBL 开始变得显著。这时候rds会小幅度增加，lamda小幅度减小。
具体参考课本如下：
trade offs and optimization in analog CMOS design
第162页。

两个自由度，L，Id/(W/L)，搭一个很简单的bentch，parameter sweep就可以了
但是说实话，我觉得gm/id的方法并不是把gm/id作为一个初始设计变量，而是作为一个设计目标的中间参考量；
而且感觉你的需求有点怪怪的，一般会将本征增益作为一个目标量，而很少用lamda作为一个目标量的；

在根据增益需求确定管子参数时，经常会出现gm1*(ro1//ro2)的情况，也就是gm1/(λ1+λ2），所以我感觉gm/id与λ的关系曲线更有用些。可能是因为我还没完全理解gm/id方法吧，这种情况应该怎么用gm*ro的曲线呢