全差分SAR ADC结构优缺点讨论
自己先顶一下，各位大虾如果不忙就帮小弟解惑一下！
为什么没有人回复呢?
顶一下，俺也在做，同问，求解释！
一般能差分就差分吧，差分带来的好处往往可以抵消面积的缺点，除非你对精度要求不高
学习了，很想知道原因
我比较困惑的一点就是如果全差分好，相关资料就应该多一些啊，为什么全差分的资料不多呢?
相对于单端结构，差分结构更容易实现高精度，电源和地的噪声纹波，都能比较好的抵消，因此如果要实现8~10bit的SAR ADC差分结构是更好的选择，当然对于10bit 以上的SAR ADC一般需要calibration去实现，或者通过一些特殊的结构，诸如积分累计误差型SAR ADC去实现！
很遗憾，我在公司无法上传相关的资料！其实全差分SAR ADC的资料是很多很全的！
多谢解惑，那为什么10位以上不用全差分呢?因为面积的原因吗?请指教
高精度的ADC(10bit以上），更倾向于全差分结构！
到底全差分是不适合大bit?
全差分面积也不会大很多啊?
我来说一下，要看实际产品的架构了。 如果是单端的信号，用差分的，就有一个信号转换的问题。而片内10bits或更高的单转差的电路很难做。
还有所说的charge-injecion 之类的可以通过架构去处理，成为offset就可。
而高速的信号，一般都是差分的以利于传输，所以AD也是差分的。
高精度的SAR ADC基本都是差分结构，SAR ADC 的误差来源主要有比较器的offset，kickback noise，和寄生电容，前面两个对于单差的SAR ADC很难消除，不过差分结构不仅仅是面积的double，功耗也要增加，相对于单差结构采样电容要增大很多，所以驱动电路的功耗也要增大。SAR ADC的速度不快，所以一般不会用来处理高速信号（不过这个是目前的热点，这个方面的paper很多），一般都用在低功耗电路，低功耗电路一般对精度要求不高，而且很多只有单端输入，所以单差结构有时候用的比差分结构要多
面积变大是指从kT/C的thermal noise角度考虑的?
差分，每个采样电容要2倍，总电容要4C了，那么电容这块面积是增大到4倍了
哦，不过直接用跨接的电容倒只要C
DAC的话应该面积不变吧
面积可能是一个方面，反正高精度的都要校准，所以即使用全差分也得校准，何必要占用很大的面积，如果直接校准能解决可能就直接校准了。
我也是猜测的，具体的没做过那么高精度的。有做过的可以说说经验。
即使是单端输入也需要双倍的电容阵列.因为, 不用的那一端要用来存储共模电平的电荷.
全差分的电容阵列和单端的应该一样多的
为什么一样多呢，大概是两倍
楼上各种大神，应该是一样多的
无论哪个角度，全差分都不会使电容变大
（1）Noise角度，全差分信号是2倍，信号功率(能量)就是4倍，而全差分的Noise=2*KT/C，所以全差分每个电容的大小可以去1/2C,总的电容还是C
（2）从功能上讲，全差分的MSB的比较不依赖于C的电荷分配，只需要比较全差分信号的极性（大小）即可。也就是说全差分结构的SAR，最高位电容可以省掉。最终全差分的电容总大小和单端仍然一样。
where to find data ?！
有没有详细的细聊讨论
学习了！
顶一下，俺也在做，同问，求解释！
电容选取按照C>12kT/(LSB^2)计算?差分，LSB增加，C缩小为原来4倍，但是由于N和P两端，所以总电容就只有单端的1/2吗?你是这个意思吗?顺便想问一下，对于差分结构Vfs=? 是Vdd-Vss（单电源Gnd）还是输入信号的Vpp?
全差分SAR ADC结构优缺点讨论